Giunzione di silicio Nexperia, Superficie, 400 mA 250 V, SOT-23, Singolo, 3 Pin
- Codice RS:
- 166-1261
- Codice costruttore:
- BAS21,215
- Costruttore:
- Nexperia
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 6000 | 0,012 € | 36,00 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 166-1261
- Codice costruttore:
- BAS21,215
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Corrente massima diretta If | 400mA | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo prodotto | Giunzione di silicio | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Sottotipo | Giunzione al silicio | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Numero pin | 3 | |
| Tempo di recupero inverso di picco trr | 50ns | |
| Tensione massima indiretta Vf | 1.25V | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 250V | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 1.7A | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250mW | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | BAS21 | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Corrente massima diretta If 400mA | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo prodotto Giunzione di silicio | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Sottotipo Giunzione al silicio | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Numero pin 3 | ||
Tempo di recupero inverso di picco trr 50ns | ||
Tensione massima indiretta Vf 1.25V | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 250V | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 1.7A | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250mW | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie BAS21 | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Soluzioni per impianti ad alta tensione. Fabbricati in tecnologia planare, i nostri diodi ≥ 100 V offrono fino a 4 ns (max.) di velocità di commutazione. Supportano progetti di circuiti personalizzati ad alta densità e sono incapsulati in contenitori a tenuta ermetica.
Diodo di commutazione ad alta velocità, incapsulato in un piccolo contenitore in plastica SOT23 per dispositivi a montaggio superficiale (SMD).
Elevata velocità di commutazione: trr ≤ 50 ns
Bassa corrente di dispersione
Tensione inversa: VR ≤ 200 V
Bassa capacità: Cd ≤ 5 pF
Contenitore di plastica SMD piccolo
Applicazioni target
Commutazione ad alta velocità ad alta tensione
Commutazione per impieghi generali ad alta tensione
Blocco della tensione
Protezione contro l'inversione di polarità
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