Diodo switching Nexperia, SMD, 200mA, 200V, SOT-457, TSOP, 6 Pin
- Codice RS:
- 170-4881
- Codice costruttore:
- BAS21VD,135
- Costruttore:
- Nexperia
Prezzo per 1 bobina da 10000 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,076 € | 760,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-4881
- Codice costruttore:
- BAS21VD,135
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Corrente massima di forward | 200mA | |
| Numero di elementi per chip | 3 | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Massima tensione inversa | 200V | |
| Tipo di package | SOT-457, TSOP | |
| Numero pin | 6 | |
| Capacità massima diodo | 5pF | |
| Minima temperatura operativa | -65 °C | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Larghezza | 1.7mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Dimensioni | 3.1 x 1.7 x 1mm | |
| Potenza dissipata | 295mW | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Corrente massima di forward 200mA | ||
Numero di elementi per chip 3 | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Massima tensione inversa 200V | ||
Tipo di package SOT-457, TSOP | ||
Numero pin 6 | ||
Capacità massima diodo 5pF | ||
Minima temperatura operativa -65 °C | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Lunghezza 3mm | ||
Larghezza 1.7mm | ||
Altezza 1mm | ||
Dimensioni 3.1 x 1.7 x 1mm | ||
Potenza dissipata 295mW | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q101 | ||
- Paese di origine:
- MY
Soluzioni per impianti ad alta tensione. Fabbricati in tecnologia planare, i nostri diodi ≥ 100 V offrono fino a 4 ns (max.) di velocità di commutazione. Supportano progetti di circuiti personalizzati ad alta densità e sono incapsulati in contenitori a tenuta ermetica.
Diodi di commutazione ad alta tensione tripli, incapsulati in un piccolo contenitore di plastica SOT457 (SC-74/TSOP6) per dispositivi a montaggio superficiale (SMD)
Elevata velocità di commutazione: trr ≤ 50 ns
Bassa capacità: Cd ≤ 5 pF
Tensione inversa: VR ≤ 200 V
Tensione inversa di picco ripetitiva: VRRM ≤ 250 V
Corrente diretta di picco ripetitiva: IFRM ≤ 1 A
Contenitore di plastica SMD piccolo
Commutazione ad alta tensione in circuiti a montaggio superficiale
Automobilistico
Comunicazione
Bassa capacità: Cd ≤ 5 pF
Tensione inversa: VR ≤ 200 V
Tensione inversa di picco ripetitiva: VRRM ≤ 250 V
Corrente diretta di picco ripetitiva: IFRM ≤ 1 A
Contenitore di plastica SMD piccolo
Commutazione ad alta tensione in circuiti a montaggio superficiale
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