Diodo Vishay, Foro passante, 200 mA, 30 V, DO-35, Piccoli segnali, 2 Pin
- Codice RS:
- 180-7017
- Codice costruttore:
- SD103B-TR
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 180-7017
- Codice costruttore:
- SD103B-TR
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo prodotto | Diodo | |
| Tipo di package | DO-35 | |
| Corrente massima continua in avanti If | 200mA | |
| Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 30V | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo di raddrizzatore | Piccoli segnali | |
| Numero pin | 2 | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 15A | |
| Corrente inversa di picco Ir | 5μA | |
| Tensione massima indiretta Vf | 600mV | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tempo di recupero inverso di picco trr | 10ns | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 3.9mm | |
| Diametro | 1.7 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 55.9mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo prodotto Diodo | ||
Tipo di package DO-35 | ||
Corrente massima continua in avanti If 200mA | ||
Picco di tensione ripetitiva inversa Vrrm 30V | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo di raddrizzatore Piccoli segnali | ||
Numero pin 2 | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 15A | ||
Corrente inversa di picco Ir 5μA | ||
Tensione massima indiretta Vf 600mV | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tempo di recupero inverso di picco trr 10ns | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 3.9mm | ||
Diametro 1.7 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 55.9mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
La serie SD103 è un dispositivo a barriera Schottky in metallo su silicio protetto da un anello di protezione di giunzione PN
La bassa caduta di tensione in avanti e la commutazione rapida lo rendono ideale per la protezione di dispositivi MOS, diodi di guida, di bias e di accoppiamento per applicazioni a commutazione rapida e a basso livello logico
Altre applicazioni includono la soppressione di clic, ponti a onda piena efficienti nei sottoset telefonici e diodi di bloccaggio nei sistemi di batterie ricaricabili a bassa tensione
