Diodo al silicio Vishay, Superficie, 300 mA 75 V, SOT-23, Singolo, 3 Pin BAS16-HE3-08
- Codice RS:
- 180-8607
- Codice costruttore:
- BAS16-HE3-08
- Costruttore:
- Vishay
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 180-8607
- Codice costruttore:
- BAS16-HE3-08
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Corrente massima diretta If | 300mA | |
| Tipo prodotto | Diodo al silicio | |
| Sottotipo | Diodo al silicio | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Numero pin | 3 | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Tensione massima indiretta Vf | 1V | |
| Tempo di recupero inverso di picco trr | 6ns | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 75V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 500mW | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 1A | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 3.1mm | |
| Altezza | 1.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Corrente massima diretta If 300mA | ||
Tipo prodotto Diodo al silicio | ||
Sottotipo Diodo al silicio | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Numero pin 3 | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Tensione massima indiretta Vf 1V | ||
Tempo di recupero inverso di picco trr 6ns | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 75V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 500mW | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 1A | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 3.1mm | ||
Altezza 1.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il diodo a commutazione rapida a piccolo segnale Vishay è dotato di tecnologia a diodo in silicone a 3 pin con corrente diretta massima di 300mA.
Diodo planare epitassiale in silicio
Velocità di commutazione ultra-veloce
Contenitore per montaggio superficiale ideale per l'inserimento automatico
Alta conduttanza
Qualifica AEC-Q101
Base P/N-E3 - conforme a RoHS, qualità commerciale
Base P/N-HE3 - conformità RoHS, qualifica AEC-Q101
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