Codice costruttore

Diodo al silicio Vishay, Superficie, 200 mA 200 V, SOT-23, Singolo, 3 Pin BAS21-E3-08

Codice RS:: 180-8755
Codice costruttore:: BAS21-E3-08
Costruttore:: Vishay

Diodo al silicio Vishay, Superficie, 200 mA 200 V, SOT-23, Singolo, 3 Pin BAS21-E3-08

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Codice RS:: 180-8755
Codice costruttore:: BAS21-E3-08
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Configurazione diodi	Singolo
	Corrente massima diretta If	200mA
	Tipo prodotto	Diodo al silicio
	Sottotipo	Diodo al silicio
	Tipo montaggio	Superficie
	Tipo di package	SOT-23
	Numero pin	3
	Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm	200V
	Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm	2.5A
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Tensione massima indiretta Vf	1.25V
	Tempo di recupero inverso di picco trr	50ns
	Dissipazione di potenza massima Pd	250mW
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	1.15mm
	Larghezza	2.6 mm
	Lunghezza	3.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Configurazione diodi Singolo
	Corrente massima diretta If 200mA
	Tipo prodotto Diodo al silicio
	Sottotipo Diodo al silicio
	Tipo montaggio Superficie
	Tipo di package SOT-23
	Numero pin 3
	Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 200V
	Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 2.5A
	Minima temperatura operativa -65°C
	Tensione massima indiretta Vf 1.25V
	Tempo di recupero inverso di picco trr 50ns
	Dissipazione di potenza massima Pd 250mW
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 1.15mm
	Larghezza 2.6 mm
	Lunghezza 3.1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

Vishay diodo di

Il diodo di commutazione Vishay ha una tensione nominale elettrica di 250V di tensione inversa e corrente inversa di 100nA. Un diodo di commutazione è un dispositivo a giunzione PN a due terminali che può essere utilizzato per commutare i segnali o agire come un raddrizzatore a basse tensioni. Ha una corrente diretta di 200mA e una tensione diretta di 1,25 V.

Caratteristiche e vantaggi

• si tratta di un piccolo dispositivo di commutazione rapida a segnale epitassiale in silicio

• il tipo di marcatura è A82

• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.

La dissipazione di potenza è di 250mW •

• il tempo di recupero è 50ns

• dispositivo a montaggio superficiale

Applications

• dispositivi di commutazione rapida

Certificazioni

• AEC-Q101

Certificazione di livello • E3