Diodo switching onsemi, Superficie, 23.4 A 650 V, TO-252, Singolo, 3 Pin
- Codice RS:
- 202-7286P
- Codice costruttore:
- FFSD2065B
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 202-7286P
- Codice costruttore:
- FFSD2065B
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Corrente massima diretta If | 23.4A | |
| Tipo prodotto | Diodo switching | |
| Sottotipo | Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Numero pin | 3 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 160mW | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 763A | |
| Tensione massima indiretta Vf | 2.4V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 650V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 10.41mm | |
| Larghezza | 2.39mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Corrente massima diretta If 23.4A | ||
Tipo prodotto Diodo switching | ||
Sottotipo Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Numero pin 3 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 160mW | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 763A | ||
Tensione massima indiretta Vf 2.4V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 650V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 10.41mm | ||
Larghezza 2.39mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
Diodo Schottky in carburo di silicio (SiC) - EliteSiC, 20 A, 650 V, D2, DPAK
I diodi Schottky SiC (carburo di silicio) ON Semiconductor utilizzano una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Nessuna corrente di recupero inverso, caratteristiche di commutazione indipendente dalla temperatura e eccellenti prestazioni termiche definiscono il carburo di silicio come la nuova generazione di semiconduttori di alimentazione.
Elevata capacità di corrente di picco
Coefficiente di temperatura positivo
Facilità di collegamento in parallelo