Codice costruttore

Giunzione di silicio Nexperia, Superficie, 200 mA 75 V, MiniMELF, Singolo, 2 Pin

Codice RS:: 438-0338
Codice costruttore:: BAS32L,115
Costruttore:: Nexperia

Giunzione di silicio Nexperia, Superficie, 200 mA 75 V, MiniMELF, Singolo, 2 Pin

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Unità	Per unità	Per bobina*
2500 - 2500	0,029 €	72,50 €
5000 - 10000	0,027 €	67,50 €
12500 +	0,026 €	65,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 438-0338
Codice costruttore:: BAS32L,115
Costruttore:: Nexperia

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Nexperia
	Configurazione diodi	Singolo
	Corrente massima diretta If	200mA
	Tipo prodotto	Giunzione di silicio
	Tipo montaggio	Superficie
	Sottotipo	Giunzione al silicio
	Tipo di package	MiniMELF
	Numero pin	2
	Minima temperatura operativa	-65°C
	Tempo di recupero inverso di picco trr	4ns
	Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm	75V
	Tensione massima indiretta Vf	1V
	Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm	4A
	Dissipazione di potenza massima Pd	250mW
	Temperatura massima di funzionamento	200°C
	Serie	BAS32L
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3.7mm
	Altezza	1.6mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Nexperia
	Configurazione diodi Singolo
	Corrente massima diretta If 200mA
	Tipo prodotto Giunzione di silicio
	Tipo montaggio Superficie
	Sottotipo Giunzione al silicio
	Tipo di package MiniMELF
	Numero pin 2
	Minima temperatura operativa -65°C
	Tempo di recupero inverso di picco trr 4ns
	Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 75V
	Tensione massima indiretta Vf 1V
	Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 4A
	Dissipazione di potenza massima Pd 250mW
	Temperatura massima di funzionamento 200°C
	Serie BAS32L
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3.7mm
	Altezza 1.6mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Paese di origine:: CN

Diodi di commutazione piccolo segnale, Nexperia

Caratteristiche

Supporta progetti di circuiti personalizzati ad alta densità

Sono disponibili tipi a bassa dispersione e ad alta tensione

Elevate velocità di commutazione

Bassa capacità

Diodi e raddrizzatori

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