Giunzione di silicio onsemi, Superficie, 18 A 200 V, TO-263, Catodo comune, 3 Pin MURB1620CTT4G
- Codice RS:
- 688-0524
- Codice costruttore:
- MURB1620CTT4G
- Costruttore:
- onsemi
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 2 unità*
3,29 €
(IVA esclusa)
4,014 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 530 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,645 € | 3,29 € |
| 20 - 198 | 1,415 € | 2,83 € |
| 200 + | 1,23 € | 2,46 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 688-0524
- Codice costruttore:
- MURB1620CTT4G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Configurazione diodi | Catodo comune | |
| Tipo prodotto | Giunzione di silicio | |
| Corrente massima diretta If | 18A | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Sottotipo | Giunzione al silicio | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Numero pin | 3 | |
| Tempo di recupero inverso di picco trr | 35ns | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 200V | |
| Tensione massima indiretta Vf | 975mV | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 100A | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.29mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Configurazione diodi Catodo comune | ||
Tipo prodotto Giunzione di silicio | ||
Corrente massima diretta If 18A | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Sottotipo Giunzione al silicio | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Numero pin 3 | ||
Tempo di recupero inverso di picco trr 35ns | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 200V | ||
Tensione massima indiretta Vf 975mV | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 100A | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.29mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Diodi raddrizzatori, da 10 A a 30 A, ON Semiconductor
Standards
I prodotti con codici costruttore con prefisso NSV o S sono qualificati per l'uso automobilistico in conformità a AEC-Q101.
Link consigliati
- Giunzione di silicio onsemi 18 A 200 V Catodo comune, 3 Pin
- Giunzione di silicio onsemi 200 mA 100 V Catodo comune, 3 Pin
- Giunzione di silicio onsemi 6 A 200 V Catodo comune, 3 Pin
- Giunzione di silicio onsemi 200 mA 100 V Catodo comune, 3 Pin BAV70LT3G
- Giunzione di silicio onsemi 6 A 200 V Catodo comune, 3 Pin MURD620CTT4G
- Giunzione di silicio onsemi 200 mA 100 V Catodo comune, 3 Pin BAV70LT1G
- Giunzione di silicio onsemi 150 mA 80 V Catodo comune, 3 Pin
- Giunzione di silicio onsemi 400 mA 250 V Catodo comune, 3 Pin