Giunzione di silicio Nexperia, Superficie, 250 mA 100 V, SOD-323, Singolo, 2 Pin
- Codice RS:
- 780-5357P
- Codice costruttore:
- BAS16J,115
- Costruttore:
- Nexperia
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|---|---|
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- Codice RS:
- 780-5357P
- Codice costruttore:
- BAS16J,115
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Corrente massima diretta If | 250mA | |
| Tipo prodotto | Giunzione di silicio | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Sottotipo | Giunzione al silicio | |
| Tipo di package | SOD-323 | |
| Numero pin | 2 | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 550mW | |
| Tensione massima indiretta Vf | 1.25V | |
| Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm | 4A | |
| Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm | 100V | |
| Tempo di recupero inverso di picco trr | 4ns | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 1.8mm | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | BAS16 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Corrente massima diretta If 250mA | ||
Tipo prodotto Giunzione di silicio | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Sottotipo Giunzione al silicio | ||
Tipo di package SOD-323 | ||
Numero pin 2 | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 550mW | ||
Tensione massima indiretta Vf 1.25V | ||
Picco di corrente di sovratensione in avanti non ripetitiva Ifsm 4A | ||
Picco massimo di tensione ripetitiva inversa Vrrm 100V | ||
Tempo di recupero inverso di picco trr 4ns | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 1.8mm | ||
Altezza 0.8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie BAS16 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Diodi di commutazione piccolo segnale, Nexperia
Caratteristiche
Supporta progetti di circuiti personalizzati ad alta densità
Sono disponibili tipi a bassa dispersione e ad alta tensione
Elevate velocità di commutazione
Bassa capacità