Diodo di protezione ESD Nexperia, PCMF3USB3SZ 2, Unidirezionale, Superficie, breakdown 4.5 V, WLCSP, 15 Pin
- Codice RS:
- 153-1916
- Codice costruttore:
- PCMF3USB3SZ
- Costruttore:
- Nexperia
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- Codice RS:
- 153-1916
- Codice costruttore:
- PCMF3USB3SZ
- Costruttore:
- Nexperia
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Nexperia | |
| Tipo prodotto | Diodo di protezione ESD | |
| Configurazione diodi | Array complesso | |
| Direzione | Unidirezionale | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 4.5V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | WLCSP | |
| Tensione massima di stand-off inversa Vwm | 5V | |
| Numero pin | 15 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Corrente di test It | 50mA | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Corrente di picco massima impulso Ippm | 4A | |
| Tensione di blocco VC | 6.5V | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Larghezza | 1.22mm | |
| Lunghezza | 2.42mm | |
| Altezza | 380μm | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 100nA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Nexperia | ||
Tipo prodotto Diodo di protezione ESD | ||
Configurazione diodi Array complesso | ||
Direzione Unidirezionale | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 4.5V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package WLCSP | ||
Tensione massima di stand-off inversa Vwm 5V | ||
Numero pin 15 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Corrente di test It 50mA | ||
Protezione ESD Sì | ||
Corrente di picco massima impulso Ippm 4A | ||
Tensione di blocco VC 6.5V | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Larghezza 1.22mm | ||
Lunghezza 2.42mm | ||
Altezza 380μm | ||
Corrente massima di dispersione inversa 100nA | ||
Filtro di modalità comune per porte USB, Nessun spazio per compromessi, L'interfaccia per telecamera e display più comune utilizzata oggi per i dispositivi portatili è l'interfaccia MIPI differenziale che funziona a frequenze RF. Per consentire il funzionamento alle frequenze GSM/3G/LTE tipiche, è necessaria una forte soppressione in modalità comune su tutte le bande e armoniche più elevate. Allo stesso tempo, è necessaria un'ampia banda di passaggio differenziale per mantenere l'integrità del segnale. Poiché l'ESD può entrare attraverso le lacune nel dispositivo portatile, è necessaria una forte protezione ESD per evitare danni all'elettronica o il ripristino del sistema a causa di urti ESD
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Snap-back profondo per una protezione SoC ottimizzata contro gli urti ESD
Contenitore molto sottile (altezza massima contenitore 0,5 mm)
Tutti i segnali LVDS che richiedono una banda di passaggio fino a 2 GHz
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