Diodo di protezione ESD onsemi, MMBZ16VALT1G 2, Unidirezionale, Superficie, breakdown 15.2 V 40 W, SOT-23, 3 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
186-9653
Codice costruttore:
MMBZ16VALT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Direzione

Unidirezionale

Configurazione diodi

Anodo comune

Tipo prodotto

Diodo di protezione ESD

Tensione minima di breakdown Vbr

15.2V

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

SOT-23

Tensione massima di stand-off inversa Vwm

13V

Numero pin

3

Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm

40W

Tensione di blocco VC

23V

Minima temperatura operativa

-55°C

Corrente di test It

1mA

Corrente di picco massima impulso Ippm

1.7A

Protezione ESD

Sì

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Numero elementi per chip

2

Standard/Approvazioni

No

Serie

MMBZ A

Lunghezza

3.04mm

Altezza

1.01mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Corrente massima di dispersione inversa

50nA

Il pacchetto Sot-23 consente due configurazioni unidirezionali separate o una configurazione bidirezionale singola

Intervallo di tensione retromarcia picco di lavoro - 13 V.

Gamma di tensione di breakdown Zener standard - 15,2 - 16,8 V.

Potenza Peak - 40 Watts a 1,0 ms (unidirezionale)

Classificazione ESD di classe N (superiore a 16 kV) per modello di corpo umano

Bassa perdita< 5,0 μ A

Custodia: In plastica termoindurente, stampata a trasferimento e priva di vuoti

Finitura: Finitura resistente alla corrosione, facilmente saldabile

Temperatura MASSIMA CASE PER SCOPI DI SALDATURA: 260 gradi C per 10 secondi

Tensione di serraggio massima alla corrente di impulso Peak

Confezione progettata per un assemblaggio ottimale automatizzato della scheda

Dimensioni ridotte per applicazioni ad alta densità

Disponibile in nastro e bobina da 8 mm

Capacità PPAP

Prefisso SZ per applicazioni automobilistiche e di altro tipo che richiedono requisiti di modifica del sito e del controllo univoci

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