Diodo TVS STMicroelectronics 4, Unidirezionale, Superficie, breakdown 5.7 V, DFN, 5 Pin
- Codice RS:
- 192-4287P
- Codice costruttore:
- HSP051-4M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 500 - 2450 | 0,161 € |
| 2500 - 4950 | 0,123 € |
| 5000 + | 0,109 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 192-4287P
- Codice costruttore:
- HSP051-4M5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Direzione | Unidirezionale | |
| Tipo prodotto | Diodo TVS | |
| Configurazione diodi | Array | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 5.7V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tensione massima di stand-off inversa Vwm | 5V | |
| Numero pin | 5 | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Corrente di picco massima impulso Ippm | 3A | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione di blocco VC | 13.7V | |
| Numero elementi per chip | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 0.35mm | |
| Lunghezza | 1.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 0.9mm | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 70nA | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Direzione Unidirezionale | ||
Tipo prodotto Diodo TVS | ||
Configurazione diodi Array | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 5.7V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package DFN | ||
Tensione massima di stand-off inversa Vwm 5V | ||
Numero pin 5 | ||
Protezione ESD Sì | ||
Corrente di picco massima impulso Ippm 3A | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione di blocco VC 13.7V | ||
Numero elementi per chip 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 0.35mm | ||
Lunghezza 1.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 0.9mm | ||
Corrente massima di dispersione inversa 70nA | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
Il modello HSP051-4M5 è un array ESD a 4 canali con un'architettura rail-to-rail progettata specificamente per la protezione di linee differenziali ad alta velocità. Il dispositivo è confezionato in μQFN 1,3 mm x 0,8 mm con un passo di 500 μm.
Contenitore molto compatto con passo da 500 μm, per un facile layout del circuito stampato
Larghezza di banda molto ampia: 11,5 GHz
Capacità molto bassa: 0,2 pF (da i/o a i/o) e 0,35 pF (da i/o a GND)
Resistenza dinamica molto bassa : 0,35 Ω
Bassa corrente di dispersione<: 1 na
Elevata livello di protezione EDS
Elevata integrazione
Adatto per schede ad alta densità
Gamma di temperature di giunzione d'esercizio estesa: Da -40 °C a 150 °C.
±20 kV (scarica a contatto)
±30 kV (scarica dell'aria)