Diodo TVS STMicroelectronics, SMB6F26AY 1, Unidirezionale, Superficie, breakdown 28.9 V 600 W, 2 Pin
- Codice RS:
- 192-5229P
- Codice costruttore:
- SMB6F26AY
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 192-5229P
- Codice costruttore:
- SMB6F26AY
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Diodo TVS | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Direzione | Unidirezionale | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tensione minima di breakdown (Vbr) | 28.9 V | |
| Dissipazione di potenza di picco impulso (Pppm) | 600 W | |
| Numero pin | 2 | |
| Tensione di blocco (VC) | 53.5 V | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Altezza | 1.05 mm | |
| Lunghezza | 3.95 mm | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175 °C | |
| Corrente di picco massima impulso (Ippm) | 75 A | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 1 μA | |
| Tensione massima di stand-off inversa (Vwm) | 26 V | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Larghezza | 4.6 mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Diodo TVS | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Direzione Unidirezionale | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tensione minima di breakdown (Vbr) 28.9 V | ||
Dissipazione di potenza di picco impulso (Pppm) 600 W | ||
Numero pin 2 | ||
Tensione di blocco (VC) 53.5 V | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Protezione ESD Sì | ||
Altezza 1.05 mm | ||
Lunghezza 3.95 mm | ||
Temperatura massima di funzionamento 175 °C | ||
Corrente di picco massima impulso (Ippm) 75 A | ||
Corrente massima di dispersione inversa 1 μA | ||
Tensione massima di stand-off inversa (Vwm) 26 V | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Larghezza 4.6 mm | ||
- Paese di origine:
- MA
The SMB6FxxAY series are designed to protect sensitive automotive circuits against surges and against electrostatic discharges. The Planar technology makes it compatible with high-end circuits where low leakage current and high junction temperature are required to provide long term reliability and stability.
Peak Pulse power: 600 W (10/1000 μs) and 4 kW (8/20 μs)
Flat and thin package: 1 mm
Stand-off voltage range from 5 V to 188 V
Unidirectional type
Low leakage current: 0.2 μA at 25 °C and 1 μA at 85 °C
Operating Tj max: 175 °C
High power capability at Tj max.: up to 470 W (10/1000 μs)
Lead finishing: matte tin plating