Array di protezione ESD STMicroelectronics 1, Bidirezionale, Superficie, breakdown 3.3 V 300 kW, QFN, 6 Pin

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Codice RS:
209-7616
Codice costruttore:
HSP031-1BM6
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Configurazione diodi

Array

Direzione

Bidirezionale

Tipo prodotto

Array di protezione ESD

Tensione minima di breakdown Vbr

3.3V

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

QFN

Numero pin

6

Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm

300kW

Tensione di blocco VC

7V

Protezione ESD

Sì

Minima temperatura operativa

-55°C

Corrente di picco massima impulso Ippm

10A

Numero elementi per chip

1

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.55mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

1.65mm

Corrente massima di dispersione inversa

50nA

Standard automobilistico

No

Il dispositivo STMicroelectronics HSP031-1BM6 è un array ESD a canale singolo con un'architettura rail-to-rail progettata per proteggere 2 linee differenziali da sovratensioni causate da ESD, sovratensioni (8/20 μs). Alloggiato in un contenitore QFN-6L Il dispositivo è progettato specificamente per la protezione di linee differenziali ad alta velocità, come Ethernet 10 Gbps.

Elevato livello di protezione ESD superiore a IEC 61000-4-2 livello 4:

±30kV (scarica di contatto)

±30kV (scarico dell'aria)

Elevata capacità di sovracorrente IEC 61000-4-5: 10 A.

Resistenza dinamica molto bassa: 0,25 Ohm

Bassa capacità: 0,7 pF

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