Diodo TVS ROHM, VS85VLNVWMTFTR, Unidirezionale, Foro passante, Superficie, breakdown 94 V 200 W, PMDE
- Codice RS:
- 246-4100
- Codice costruttore:
- VS85VLNVWMTFTR
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 246-4100
- Codice costruttore:
- VS85VLNVWMTFTR
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Direzione | Unidirezionale | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tipo prodotto | Diodo TVS | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 94V | |
| Tipo montaggio | Foro passante, Superficie | |
| Tipo di package | PMDE | |
| Tensione massima di stand-off inversa Vwm | 85V | |
| Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm | 200W | |
| Tensione di blocco VC | 137V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Corrente di picco massima impulso Ippm | 1.4A | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 2.3mm | |
| Standard/Approvazioni | IEC 61000-4-2 | |
| Serie | VSxxVLNVWM | |
| Larghezza | 1.4 mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 0.1μA | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Direzione Unidirezionale | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tipo prodotto Diodo TVS | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 94V | ||
Tipo montaggio Foro passante, Superficie | ||
Tipo di package PMDE | ||
Tensione massima di stand-off inversa Vwm 85V | ||
Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm 200W | ||
Tensione di blocco VC 137V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Protezione ESD Sì | ||
Corrente di picco massima impulso Ippm 1.4A | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 2.3mm | ||
Standard/Approvazioni IEC 61000-4-2 | ||
Serie VSxxVLNVWM | ||
Larghezza 1.4 mm | ||
Altezza 1mm | ||
Corrente massima di dispersione inversa 0.1μA | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
ROHM serie VS è un soppressore di tensioni transitorie disponibile in contenitore PMDE e dotato di struttura planare epitassiale in silicio e può essere utilizzato in applicazioni di protezione contro le sovratensioni e regolazione della tensione.
Elevata affidabilità
Tipo stampato compatto
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