Diodo TVS STMicroelectronics 1, Bidirezionale, Foro passante, breakdown 17.1 V 600 W, DO-15, 2 Pin
- Codice RS:
- 486-0115P
- Codice costruttore:
- BZW06-15B
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- Codice RS:
- 486-0115P
- Codice costruttore:
- BZW06-15B
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Diodo TVS | |
| Direzione | Bidirezionale | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 17.1V | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Tipo di package | DO-15 | |
| Tensione massima di stand-off inversa Vwm | 15.3V | |
| Numero pin | 2 | |
| Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm | 600W | |
| Corrente di test It | 1mA | |
| Tensione di blocco VC | 32.5V | |
| Minima temperatura operativa | -65°C | |
| Corrente di picco massima impulso Ippm | 123A | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Altezza | 3.53mm | |
| Diametro | 3.53mm | |
| Larghezza | 3.53mm | |
| Serie | BZW06 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 1μA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Diodo TVS | ||
Direzione Bidirezionale | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 17.1V | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Tipo di package DO-15 | ||
Tensione massima di stand-off inversa Vwm 15.3V | ||
Numero pin 2 | ||
Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm 600W | ||
Corrente di test It 1mA | ||
Tensione di blocco VC 32.5V | ||
Minima temperatura operativa -65°C | ||
Corrente di picco massima impulso Ippm 123A | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Altezza 3.53mm | ||
Diametro 3.53mm | ||
Larghezza 3.53mm | ||
Serie BZW06 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Corrente massima di dispersione inversa 1μA | ||