Diodo TVS STMicroelectronics 1, Unidirezionale, Superficie, breakdown 31.4 V 600 W, DO-214, 2 Pin
- Codice RS:
- 486-5003P
- Codice costruttore:
- SM6T33A
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 486-5003P
- Codice costruttore:
- SM6T33A
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli Prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Configurazione diodi | Singolo | |
| Direzione | Unidirezionale | |
| Tipo prodotto | Diodo TVS | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 31.4V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | DO-214 | |
| Tensione massima di stand-off inversa Vwm | 28.2V | |
| Numero pin | 2 | |
| Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm | 600W | |
| Tensione di blocco VC | 59V | |
| Corrente di picco massima impulso Ippm | 68A | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Corrente di test It | 1mA | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Altezza | 2.45mm | |
| Lunghezza | 4.6mm | |
| Serie | SM6T | |
| Larghezza | 3.95 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 200nA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Configurazione diodi Singolo | ||
Direzione Unidirezionale | ||
Tipo prodotto Diodo TVS | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 31.4V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package DO-214 | ||
Tensione massima di stand-off inversa Vwm 28.2V | ||
Numero pin 2 | ||
Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm 600W | ||
Tensione di blocco VC 59V | ||
Corrente di picco massima impulso Ippm 68A | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Corrente di test It 1mA | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Altezza 2.45mm | ||
Lunghezza 4.6mm | ||
Serie SM6T | ||
Larghezza 3.95 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Corrente massima di dispersione inversa 200nA | ||
