Array diodi TVS onsemi 4, Unidirezionale, Superficie, breakdown 6 V 500 W, SOIC, 8 Pin
- Codice RS:
- 802-4180P
- Codice costruttore:
- NUP4201DR2G
- Costruttore:
- onsemi
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 802-4180P
- Codice costruttore:
- NUP4201DR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Configurazione diodi | Array complesso | |
| Direzione | Unidirezionale | |
| Tipo prodotto | Array diodi TVS | |
| Tensione minima di breakdown Vbr | 6V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero pin | 8 | |
| Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm | 500W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione di blocco VC | 25V | |
| Corrente di test It | 1mA | |
| Protezione ESD | Sì | |
| Numero elementi per chip | 4 | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Larghezza | 4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Corrente massima di dispersione inversa | 10μA | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Configurazione diodi Array complesso | ||
Direzione Unidirezionale | ||
Tipo prodotto Array diodi TVS | ||
Tensione minima di breakdown Vbr 6V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero pin 8 | ||
Dissipazione di potenza di picco impulso Pppm 500W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione di blocco VC 25V | ||
Corrente di test It 1mA | ||
Protezione ESD Sì | ||
Numero elementi per chip 4 | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.5mm | ||
Larghezza 4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 5mm | ||
Corrente massima di dispersione inversa 10μA | ||
Standard automobilistico No | ||