- Codice RS:
- 169-8514
- Codice costruttore:
- 1N5230BTR
- Costruttore:
- onsemi
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)
0,018 €
(IVA esclusa)
0,022 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
---|---|---|
5000 + | 0,018 € | 90,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 169-8514
- Codice costruttore:
- 1N5230BTR
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Diodi Zener da 500 mW, serie 1N52, Fairchild Semiconductor
Dati generali applicabili a tutte le serie di questo gruppo.
500 milliwatt
A tenuta ermetica
Diodi Zener al silicio di vetro
Gamma di tensione completa: Da 1,8 a 200 V.
Pacchetto DO-204AH - Piccolo rispetto al pacchetto DO-204AA convenzionale
Struttura a doppio slug
Costruzione metallurgicamente bonded
Caratteristiche meccaniche:
Contenitore: Doppio tipo di contenitore, vetro ermetico
Temperatura MASSIMA DI PERDITE PER SCOPI DI SALDATURA: 230°C, 1/16", da custodia per 10 secondi
Finitura: Tutte le superfici esterne sono resistenti alla corrosione con conduttori facilmente saldabili
Polarità: Catodo indicato dalla banda cromatica. Quando viene azionato in modalità zener, il catodo sarà positivo rispetto all'anodo
Posizione DI MONTAGGIO: Qualsiasi
Località FAB wafer: Phoenix, Arizona
Luogo DI ASSEMBLAGGIO/TEST: Seoul, Corea
500 milliwatt
A tenuta ermetica
Diodi Zener al silicio di vetro
Gamma di tensione completa: Da 1,8 a 200 V.
Pacchetto DO-204AH - Piccolo rispetto al pacchetto DO-204AA convenzionale
Struttura a doppio slug
Costruzione metallurgicamente bonded
Caratteristiche meccaniche:
Contenitore: Doppio tipo di contenitore, vetro ermetico
Temperatura MASSIMA DI PERDITE PER SCOPI DI SALDATURA: 230°C, 1/16", da custodia per 10 secondi
Finitura: Tutte le superfici esterne sono resistenti alla corrosione con conduttori facilmente saldabili
Polarità: Catodo indicato dalla banda cromatica. Quando viene azionato in modalità zener, il catodo sarà positivo rispetto all'anodo
Posizione DI MONTAGGIO: Qualsiasi
Località FAB wafer: Phoenix, Arizona
Luogo DI ASSEMBLAGGIO/TEST: Seoul, Corea
Diodi Zener, Fairchild Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tensione nominale zener | 4.7V |
Configurazione diodi | Singolo |
Numero di elementi per chip | 1 |
Tipo di montaggio | Su foro |
Dissipazione di potenza massima | 500 mW |
Tipo di package | DO-35 |
Tipo di zener | Impieghi generici |
Tolleranza in tensione zener | 5% |
Numero pin | 2 |
Corrente di test | 20mA |
Impedenza massima zener | 19Ω |
Massima corrente di perdita inversa | 2µA |
Dimensioni | 1.91 (Dia.) x 4.56mm |
Minima temperatura operativa | -65 °C |
Massima temperatura operativa | +200 °C |
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