Diodo Zener onsemi, 5.1V, Su foro, 500 mW, DO-35
- Codice RS:
- 184-5022
- Codice costruttore:
- 1N5231B
- Costruttore:
- onsemi
2000 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
750 Entro 1 giorni lavorativi per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Aggiunto
Prezzo per 1pz in confezione da 250
0,044 €
(IVA esclusa)
0,054 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità | Per Pack* |
| 250 - 250 | 0,044 € | 11,00 € |
| 500 - 1000 | 0,037 € | 9,25 € |
| 1250 - 2250 | 0,036 € | 9,00 € |
| 2500 - 6000 | 0,035 € | 8,75 € |
| 6250 + | 0,025 € | 6,25 € |
| *prezzo indicativo | ||
- Codice RS:
- 184-5022
- Codice costruttore:
- 1N5231B
- Costruttore:
- onsemi
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
Diodi Zener da 500 mW, serie 1N52, Fairchild Semiconductor
Dati generali applicabili a tutte le serie di questo gruppo.
500 milliwatt
A tenuta ermetica
Diodi Zener al silicio di vetro
Gamma di tensione completa: Da 1,8 a 200 V.
Pacchetto DO-204AH - Piccolo rispetto al pacchetto DO-204AA convenzionale
Struttura a doppio slug
Costruzione metallurgicamente bonded
Caratteristiche meccaniche:
Contenitore: Doppio tipo di contenitore, vetro ermetico
Temperatura MASSIMA DI PERDITE PER SCOPI DI SALDATURA: 230°C, 1/16", da custodia per 10 secondi
Finitura: Tutte le superfici esterne sono resistenti alla corrosione con conduttori facilmente saldabili
Polarità: Catodo indicato dalla banda cromatica. Quando viene azionato in modalità zener, il catodo sarà positivo rispetto all'anodo
Posizione DI MONTAGGIO: Qualsiasi
Località FAB wafer: Phoenix, Arizona
Luogo DI ASSEMBLAGGIO/TEST: Seoul, Corea
500 milliwatt
A tenuta ermetica
Diodi Zener al silicio di vetro
Gamma di tensione completa: Da 1,8 a 200 V.
Pacchetto DO-204AH - Piccolo rispetto al pacchetto DO-204AA convenzionale
Struttura a doppio slug
Costruzione metallurgicamente bonded
Caratteristiche meccaniche:
Contenitore: Doppio tipo di contenitore, vetro ermetico
Temperatura MASSIMA DI PERDITE PER SCOPI DI SALDATURA: 230°C, 1/16", da custodia per 10 secondi
Finitura: Tutte le superfici esterne sono resistenti alla corrosione con conduttori facilmente saldabili
Polarità: Catodo indicato dalla banda cromatica. Quando viene azionato in modalità zener, il catodo sarà positivo rispetto all'anodo
Posizione DI MONTAGGIO: Qualsiasi
Località FAB wafer: Phoenix, Arizona
Luogo DI ASSEMBLAGGIO/TEST: Seoul, Corea
Diodi Zener, Fairchild Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tensione nominale zener | 5.1V |
| Configurazione diodi | Singolo |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Dissipazione di potenza massima | 500 mW |
| Tipo di package | DO-35 |
| Tipo di zener | Impieghi generici |
| Tolleranza in tensione zener | 5% |
| Numero pin | 2 |
| Corrente di test | 20mA |
| Impedenza massima zener | 1600 Ω @ 0.25 mA, 17 Ω @ 20 mA |
| Massima corrente di perdita inversa | 5µA |
| Dimensioni | 1.91 (Dia.) x 4.56mm |
| Tensione diretta | 1.2V |
| Corrente diretta | 200mA |
| Massima temperatura operativa | +200 °C |
| Coefficiente tensione temperatura tipico | ±0.03%/°C |
| Minima temperatura operativa | -65 °C |
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