Memoria EEPROM STMicroelectronics, da 512kB, SO8N, 8 pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
151-728
Codice costruttore:
M24512E-FMN6TP
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Dimensioni memoria

512kB

Tipo di package

SO8N

Numero pin

8

Tempo di accesso casuale massimo

450ns

Paese di origine:
CN
M24512E-F di STMicroelectronics è una EEPROM (memoria programmabile elettricamente cancellabile) da 512 Kbit compatibile con I²C, organizzata come 64 K x 8 bit. Può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,6 V a 5,5 V con una frequenza di clock fino a 1 MHz. Il dispositivo offre tre registri a 8 bit: il registro DTI (Device Type Identifier), il registro CDA (Configurable Device Address) e il registro SWP (Software Write Protection).

Scrittura di byte e pagine in 4 ms (in genere 3,1 ms)
Protezione ESD o latch-up avanzata
Oltre 4 milioni di cicli di scrittura
Registro dell'indirizzo del dispositivo configurabile
Registro dell'identificatore del tipo di dispositivo (in sola lettura)
Indirizzo del dispositivo preprogrammato
Registro di protezione da scrittura del software
Protezione da scrittura hardware dell'intero array di memoria
Modalità di lettura casuale e sequenziale

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