EEPROM parallela AT28HC256-12JU Parallelo Microchip, da 256 kB, PLCC, 120 ns, Superficie, 32 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
177-1707
Codice costruttore:
AT28HC256-12JU
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

EEPROM parallela

Dimensione memoria

256kB

Tipo di interfaccia

Parallelo

Tipo di package

PLCC

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

32

Organizzazione

32K x 8 Bit

Frequenza di clock massima

5MHz

Tensione minima di alimentazione

4.5V

Tensione massima di alimentazione

5.5V

Numero bit per parola

8

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Altezza

3.5mm

Lunghezza

12.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15 mm

Serie

AT28HC256

Numero parole

32768

Standard automobilistico

No

Tempo massimo di accesso casuale

120ns

Corrente di alimentazione

80mA

Conservazione dei dati

10year

Paese di origine:
TW
AT28HC256 di Microchip è una EEPROM parallela ad alte prestazioni da 256 Kbit disponibile in entrambe le gamme di temperature industriali e militari, con tempi di accesso a 70 ns con dissipazione di potenza di 440 mW. Deselezionata, la corrente di standby CMOS è inferiore a 5 μA. È possibile accedere come RAM statica per il ciclo di lettura o scrittura senza componenti esterni, contiene una pagina di 64 byte registrati per consentire la scrittura di fino a 64 byte simultaneamente. È dotata di un circuito di correzione degli errori interno per una maggiore durata e una migliore conservazione dei dati, nella versione militare. Il meccanismo di protezione dei dati con software opzionale protegge contro le scritture involontarie, e ulteriori 64 byte di EEPROM consentono l'identificazione o il tracciamento del dispositivo.

Caratteristiche aggiuntive:

32 Kbit x 8 (256 Kbit)

Alimentatore 5 V ± 10%

Interfaccia parallela

Tempo di accesso di 150 ns

Cicli di cancellazione e scrittura a temporizzazione automatica (10 ms max)

Scrittura pagina e scrittura byte

Polling di dati per la fine del rilevamento di scrittura

Basso consumo energetico:

Corrente di lettura / scrittura 40 mA (max)

Corrente in standby TTL a 2 mA (max), CMOS 200 μA (max)

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