EEPROM M24C16-WDW6TP Seriale I2C STMicroelectronics, da 16 kB, TSSOP, 900 ns, Superficie, 8 Pin
- Codice RS:
- 190-6764
- Codice costruttore:
- M24C16-WDW6TP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 190-6764
- Codice costruttore:
- M24C16-WDW6TP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Dimensione memoria | 16kB | |
| Tipo prodotto | EEPROM | |
| Tipo di interfaccia | Seriale I2C | |
| Tipo di package | TSSOP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Numero bit per parola | 8 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Numero parole | 2K | |
| Conservazione dei dati | 200anno | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Tempo massimo di accesso casuale | 900ns | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Dimensione memoria 16kB | ||
Tipo prodotto EEPROM | ||
Tipo di interfaccia Seriale I2C | ||
Tipo di package TSSOP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Numero bit per parola 8 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Numero parole 2K | ||
Conservazione dei dati 200anno | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Tempo massimo di accesso casuale 900ns | ||
L'M24C16 è una EEPROM (Memoria programmabile cancellabile elettricamente) compatibile con I2C da 16 Kbit organizzata come 2 K x 8 bit.
Compatibile con tutte le modalità di bus I2C:
400 kHz
100 kHz
Array di memoria:
16 Kbit (2 Kbyte) di EEPROM
Dimensioni della pagina: 16 byte
Tensione di alimentazione singola:
M24C16-W: da 2,5 V a 5,5 V
M24C16-R: da 1,8 V a 5,5 V
M24C16-F: da 1,7 V a 5,5 V (intervallo di temperatura completo) e da 1,6 V a 1,7 V (intervallo di temperatura limitato)
Scrivi:
Byte di scrittura entro 5 MS
Scrittura della pagina entro 5 MS
Temperatura d'esercizio:
da -40 °C a +85 °C
Modalità di lettura casuale e sequenziale
Protezione da scrittura dell'intero array di memoria
Protezione ESD/Latch-Up migliorata
Oltre 4 milioni di cicli di scrittura
Conservazione dei dati per oltre 200 anni
Confezioni
PDIP8
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
UFDFPN5
Wafer non seghettato (ogni matrice viene testata)
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