Chip EEPROM SPI STMicroelectronics, da 512kbit, SO, SMD, 8 pin
- Codice RS:
- 196-1992
- Codice costruttore:
- M95512-WMN6TP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 25 unità*
14,95 €
(IVA esclusa)
18,25 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,598 € | 14,95 € |
| 50 - 75 | 0,581 € | 14,53 € |
| 100 - 225 | 0,566 € | 14,15 € |
| 250 - 975 | 0,552 € | 13,80 € |
| 1000 + | 0,538 € | 13,45 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 196-1992
- Codice costruttore:
- M95512-WMN6TP
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Dimensioni memoria | 512kbit | |
| Interfacce | Seriale SPI | |
| Tipo di package | SO | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 8 | |
| Organizzazione | 65536 K x 8 bit | |
| Tensione di alimentazione operativa minima | 2,5 V | |
| Tensione di alimentazione operativa massima | 5,5 V | |
| Tensione di programmazione | 2.5 → 5.5V | |
| Numero di bit per parola | 8bit | |
| Dimensioni | 5 x 4 x 1.5mm | |
| Standard per uso automobilistico | AEC-Q100 | |
| Massima temperatura operativa | +85 °C | |
| Tempo di accesso casuale massimo | 40ns | |
| Minima temperatura operativa | -40 °C | |
| Numero di parole | 65536 | |
| Data Retention | 200anno | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Dimensioni memoria 512kbit | ||
Interfacce Seriale SPI | ||
Tipo di package SO | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 8 | ||
Organizzazione 65536 K x 8 bit | ||
Tensione di alimentazione operativa minima 2,5 V | ||
Tensione di alimentazione operativa massima 5,5 V | ||
Tensione di programmazione 2.5 → 5.5V | ||
Numero di bit per parola 8bit | ||
Dimensioni 5 x 4 x 1.5mm | ||
Standard per uso automobilistico AEC-Q100 | ||
Massima temperatura operativa +85 °C | ||
Tempo di accesso casuale massimo 40ns | ||
Minima temperatura operativa -40 °C | ||
Numero di parole 65536 | ||
Data Retention 200anno | ||
- Paese di origine:
- CN
I dispositivi M95512 sono Memorie programmabili (EEPROM) elettricamente cancellabili organizzate come 65536 x 8 bit, accessibili tramite il bus SPI.
M95512-W può funzionare con una tensione di alimentazione da 2,5 V a 5,5 V, M95512-R può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,8 V a 5,5 V e M95512-DF può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,7 V a 5,5 V, Su una gamma di temperatura ambiente di -40 °C / +85 °C.
M95512-W può funzionare con una tensione di alimentazione da 2,5 V a 5,5 V, M95512-R può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,8 V a 5,5 V e M95512-DF può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,7 V a 5,5 V, Su una gamma di temperatura ambiente di -40 °C / +85 °C.
Compatibile con il bus di interfaccia periferica seriale (SPI)
Array di memoria
512 Kbit (64 Kbyte) di EEPROM
Dimensioni pagina: 128 byte
in scrittura.
Scrittura byte entro 5 ms.
Scrittura pagina entro 5 ms.
Pagina aggiuntiva bloccabile in scrittura (pagina di identificazione)
Protezione da scrittura: Un quarto, metà o l'intero array di memoria
Clock ad alta velocità: 16 MHz
Tensione di alimentazione singola:
Da 2,5 V a 5,5 V per M95512-W.
Da 1,8 V a 5,5 V per M95512-R.
Da 1,7 V a 5,5 V per M95512-DF
Intervallo temperatura di esercizio da -40 °C a +85 °C
Protezione EMI potenziata
Più di 4 milioni di cicli di scrittura
Oltre 20 anni di conservazione dei dati
Contenitori:
SO8
TSSOP8
UFDFPN8
WLCSP
Array di memoria
512 Kbit (64 Kbyte) di EEPROM
Dimensioni pagina: 128 byte
in scrittura.
Scrittura byte entro 5 ms.
Scrittura pagina entro 5 ms.
Pagina aggiuntiva bloccabile in scrittura (pagina di identificazione)
Protezione da scrittura: Un quarto, metà o l'intero array di memoria
Clock ad alta velocità: 16 MHz
Tensione di alimentazione singola:
Da 2,5 V a 5,5 V per M95512-W.
Da 1,8 V a 5,5 V per M95512-R.
Da 1,7 V a 5,5 V per M95512-DF
Intervallo temperatura di esercizio da -40 °C a +85 °C
Protezione EMI potenziata
Più di 4 milioni di cicli di scrittura
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SO8
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