Memoria EEPROM seriale I2C STMicroelectronics, da 32kbit, UFDFPN8, SMD, 8 pin

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Codice RS:
239-6323
Codice costruttore:
M24C32-DFMC6TG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Dimensioni memoria

32kbit

Interfacce

Seriale I2C

Tipo di package

UFDFPN8

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Organizzazione

4K x 8 bit

Tensione di alimentazione operativa minima

1,7 V

Tensione di alimentazione operativa massima

5,5 V

Tensione di programmazione

1.7 → 5.5V

Numero di bit per parola

8bit

Dimensioni

1.7 x 1.4 x 0.55mm

Massima temperatura operativa

+85 °C

Data Retention

200anno

Numero di parole

4k

Minima temperatura operativa

-40 °C

Tempo di accesso casuale massimo

450ns

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

EEPROM bus I2C seriale da 32 Kbit


Il modello M24C32 è una EEPROM (memoria programmabile cancellabile elettricamente) compatibile con I2C da 32 Kbit organizzata come 4 K x 8 bit. Il modello M24C32-W può funzionare con una tensione di alimentazione compresa tra 2,5 V e 5,5 V, il modello M24C32-R può funzionare con una tensione di alimentazione compresa tra 1,8 V e 5,5 V e i modelli M24C32-F e M24C32-DF possono funzionare con una tensione di alimentazione da 1,7 V a 5,5 V, in un intervallo di temperatura ambiente di -40 °C / +85 °C; mentre il M24C32-X può funzionare con una tensione di alimentazione da 1,6 V a 5,5 V in un intervallo di temperatura ambiente di -20 °C / +85 °C.

Il modello M24C32-D offre una pagina aggiuntiva, denominata pagina di identificazione (32 byte). La pagina di identificazione può essere utilizzata per memorizzare i parametri dell'applicazione sensibili che possono essere (in seguito) bloccati in modo permanente in modalità di sola lettura.

Caratteristiche


Compatible with all I²C bus modes:
1 MHz
400 kHz
100 kHz

Memory array:
32 Kbit (4 Kbyte) of EEPROM

Page size: 32 byte
Additional Write lockable page (M24C32-D order codes)

Single supply voltage:
1,7 V to 5,5 V over –40 °C / +85 °C
1,6 V to 5,5 V over –20 °C / +85 °C

Write:
Byte Write within 5 ms
Page Write within 5 ms

Modalità di lettura casuale e sequenziale

Protezione da scrittura dell'intero array di memoria

Protezione ESD/Latch-Up potenziata

Oltre 4 milioni di cicli di scrittura

Oltre 200 anni di conservazione dei dati

Contenitori
PDIP8 ECOPACK2®
SO8 ECOPACK2®
TSSOP8 ECOPACK2®
UFDFPN8 ECOPACK2®
WLCSP ECOPACK2®
UFDFPN5 ECOPACK2®
Wafer non seghettato (ogni stampo viene testato)

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