Fotodiodo OSI Optoelectronics UV-100L 3 pin. 65 °, 254 nm, rilevamento Infrarossi Foro passante
- Codice RS:
- 176-9786
- Codice costruttore:
- UV-100L
- Costruttore:
- OSI Optoelectronics
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- Codice RS:
- 176-9786
- Codice costruttore:
- UV-100L
- Costruttore:
- OSI Optoelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | OSI Optoelectronics | |
| Tipo prodotto | Fotodiodo | |
| Spettri rilevati | Infrarossi | |
| Lunghezza d'onda sensibilità di picco | 254nm | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Confezionamento | Nastro e bobina | |
| Numero aghi | 3 | |
| Lunghezza d'onda massima rilevata | 254nm | |
| Tempo di caduta tipico | 0.6ns | |
| Amplificato | No | |
| Minima temperatura operativa | -25°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 4.826mm | |
| Lunghezza | 24.76mm | |
| Polarità | Avanti | |
| Standard automobilistico | No | |
| Serie | UV | |
| Tempo di salita tipico | 5.9ns | |
| Tensione di rottura | 30V | |
| Corrente di buio | 0.5nA | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio OSI Optoelectronics | ||
Tipo prodotto Fotodiodo | ||
Spettri rilevati Infrarossi | ||
Lunghezza d'onda sensibilità di picco 254nm | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Confezionamento Nastro e bobina | ||
Numero aghi 3 | ||
Lunghezza d'onda massima rilevata 254nm | ||
Tempo di caduta tipico 0.6ns | ||
Amplificato No | ||
Minima temperatura operativa -25°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 4.826mm | ||
Lunghezza 24.76mm | ||
Polarità Avanti | ||
Standard automobilistico No | ||
Serie UV | ||
Tempo di salita tipico 5.9ns | ||
Tensione di rottura 30V | ||
Corrente di buio 0.5nA | ||
Esente
- Paese di origine:
- US
OSI Optoelectronics offre due famiglie distinte di fotodiodi in silicio potenziati per raggi UV. Serie a canale d'inversione e a diffusione planare. Entrambe queste famiglie di dispositivi sono progettate per il rilevamento a bassa rumorosità nella zona UV dello spettro elettromagnetico. I fotodiodi potenziati UV con struttura a strati di inversione vantano il 100% di efficienza quantistica interna e sono ideali per le misurazioni luminose a bassa intensità. Presentano un'elevata resistenza shunt, bassa rumorosità ed elevata tensione di scarica distruttiva. L'uniformità di risposta su tutta la superficie e l'efficienza quantistica migliorano da 5 a 10 Volt applicati per la polarizzazione inversa.
Applicazioni del prodotto
Monitoraggio dell'inquinamento
Strumentazione medica
Misuratori di esposizione ai raggi UV
Spettroscopia
Purificazione dell'acqua
Fluorescenza
Caratteristiche prodotto
Serie d'inversione: 100% QE interno
Resistenza shunt ultra elevata
Eccellente risposta ai raggi UV