Fotodiodo OSI Optoelectronics 2 pin. 65 °, 1550 nm, rilevamento Infrarossi Foro passante

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Codice RS:
848-6257
Codice costruttore:
FCI-InGaAs-1000
Costruttore:
OSI Optoelectronics
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Marchio

OSI Optoelectronics

Tipo prodotto

Fotodiodo

Spettri rilevati

Infrarossi

Lunghezza d'onda sensibilità di picco

1550nm

Tipo montaggio

Foro passante

Confezionamento

Nastro e bobina

Numero aghi

2

Lunghezza d'onda minima rilevata

900nm

Lunghezza d'onda massima rilevata

1700nm

Tempo di caduta tipico

0.6ns

Minima temperatura operativa

-25°C

Amplificato

No

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Larghezza

5mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

8mm

Altezza

3.81mm

Angolo mezza sensibilità

65 °

Diametro

5.4mm

Tempo di salita tipico

0.6ns

Standard automobilistico

No

Serie

FCI-InGaAS

Tensione di rottura

30V

Polarità

Al contrario

Corrente di buio

0.2nA

Fotodiodi InGaAs con ampia area attiva OSI


La serie FCI-InGaAs-xxx-x, di OSI Optoelectronics, è costituita da fotodiodi InGaAs con ampia area attiva. Si tratta di una gamma di rilevatori a infrarossi sensibili che offrono un'elevata reattività (1100-1620 nm). Sono disponibili in contenitori TO-46 o TO-5 con finestra piatta. Le applicazioni adatte per questa famiglia di fotodiodi includono: strumentazione a infrarossi, monitoraggio, strumentazione ottica, misurazione di potenza, rilevamento a infrarossi e dispositivi medici.

Caratteristiche:

Grande area attiva: 1 mm, 1,5 mm e 3 mm

Elevata reattività

Bassa rumorosità

Gamma spettrale: 900 nm - 1700 nm

Fotodiodi, OSI Optoelectronics


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