Fotodiodo ams OSRAM 2 pin, 850nm, rilevamento Infrarossi, TO-18
- Codice RS:
- 912-8306
- Codice costruttore:
- BPX 65
- Costruttore:
- ams OSRAM
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Unità | Per unità | Per Vassoio* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 912-8306
- Codice costruttore:
- BPX 65
- Costruttore:
- ams OSRAM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ams OSRAM | |
| Spettro rilevato | Infrarossi | |
| Lunghezza d'onda della sensibilità di picco | 850nm | |
| Tipo di package | TO-18 | |
| Funzione amplificatore | No | |
| Tipo di montaggio | Montaggio con foro passante | |
| Numero di pin | 2 | |
| Materiale diodo | Si | |
| Lunghezza d'onda minima rilevata | 350nm | |
| Lunghezza d'onda massima rilevata | 1100nm | |
| Tempo di caduta | 0.012µs | |
| Larghezza | 5.5mm | |
| Diametro | 4.8mm | |
| Corrente di cortocircuito | 10µA | |
| Tempo di salita | 0.012µs | |
| Polarità | Microinterruttore | |
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|---|---|---|
Marchio ams OSRAM | ||
Spettro rilevato Infrarossi | ||
Lunghezza d'onda della sensibilità di picco 850nm | ||
Tipo di package TO-18 | ||
Funzione amplificatore No | ||
Tipo di montaggio Montaggio con foro passante | ||
Numero di pin 2 | ||
Materiale diodo Si | ||
Lunghezza d'onda minima rilevata 350nm | ||
Lunghezza d'onda massima rilevata 1100nm | ||
Tempo di caduta 0.012µs | ||
Larghezza 5.5mm | ||
Diametro 4.8mm | ||
Corrente di cortocircuito 10µA | ||
Tempo di salita 0.012µs | ||
Polarità Microinterruttore | ||
Fotodiodo PIN - Contenitore TO-18
Il fotodiodo PIN BPX 65 di OSRAM Opto Semiconductors è fornito in contenitore cilindrico metallico TO-18. Il cilindro metallico è sigillato ermeticamente, il che rende il BPX 65 ideale per applicazioni in ambienti estremi fino a 125 °C. Altre applicazioni adatte includono: elettronica industriale, fotorilevatori ad alta velocità e circuiti di controllo/azionamento.
Caratteristiche del fotodiodo PIN in silicio BPX 65:
Contenitore in metallo TO-18
Montaggio con foro passante
Lunghezza d'onda: da 350 a 1100 nm
Breve tempo di commutazione
Fotodiodi IR, OSRAM Opto Semiconductors
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