Fototransistor Vishay VEMT VEMT3700F-GS08 60 ° Radiazione a infrarossi visibile, Radiazione a infrarossi prossimi,

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-6914
Codice costruttore:
VEMT3700F-GS08
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Spettri rilevati

Radiazione a infrarossi visibile, Radiazione a infrarossi prossimi

Tipo prodotto

Fototransistor

Tempo di caduta tipico

2μs

Lunghezza d'onda di picco

950nm

Tempo di salita tipico

6μs

Confezionamento

Nastro e bobina

Corrente illuminazione massima

50mA

Corrente di buio massima

200nA

Angolo mezza sensibilità

60 °

Numero aghi

2

Tipo montaggio

Superficie

Tipo di package

Montaggio superficiale

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

100°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.8mm

Corrente collettore

50mA

Lunghezza

3.5mm

Altezza

1.75mm

Tensione collettore emettitore

5V

Tensione emettitore collettore

70V

Standard automobilistico

No

Serie

VEMT

Il fototransistor NPN al silicio Vishay è un fototransistor planare epitassiale NPN al silicio ad alta velocità in un contenitore PLCC-2 miniaturizzato per il montaggio superficiale su schede stampate. Il dispositivo è sensibile alle radiazioni a infrarossi visibili e vicine.

Elevata sensibilità fotografica

Elevata sensibilità radiante

Adatto per le radiazioni a infrarossi visibili e vicine

Tempi di risposta rapidi

Angolo di mezza sensibilità: φ = ± 60°

La scanalatura del contenitore indica il collettore