Fototransistor Vishay VEMT VEMT3700F-GS08 60 ° Radiazione a infrarossi visibile, Radiazione a infrarossi prossimi,

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
257-6914
Codice costruttore:
VEMT3700F-GS08
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

Fototransistor

Spettri rilevati

Radiazione a infrarossi visibile, Radiazione a infrarossi prossimi

Tempo di caduta tipico

2μs

Lunghezza d'onda di picco

950nm

Tempo di salita tipico

6μs

Confezionamento

Nastro e bobina

Corrente illuminazione massima

50mA

Corrente di buio massima

200nA

Angolo mezza sensibilità

60 °

Numero aghi

2

Tipo montaggio

Superficie

Minima temperatura operativa

-40°C

Tipo di package

Montaggio superficiale

Temperatura massima di funzionamento

100°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.8 mm

Corrente collettore

50mA

Altezza

1.75mm

Lunghezza

3.5mm

Tensione emettitore collettore

70V

Tensione collettore emettitore

5V

Standard automobilistico

No

Serie

VEMT

Il fototransistor NPN al silicio Vishay è un fototransistor planare epitassiale NPN al silicio ad alta velocità in un contenitore PLCC-2 miniaturizzato per il montaggio superficiale su schede stampate. Il dispositivo è sensibile alle radiazioni a infrarossi visibili e vicine.

Elevata sensibilità fotografica

Elevata sensibilità radiante

Adatto per le radiazioni a infrarossi visibili e vicine

Tempi di risposta rapidi

Angolo di mezza sensibilità: φ = ± 60°

La scanalatura del contenitore indica il collettore