Fototransistor Vishay VEMT2000X01 AEC-Q101 VEMT2000X01 30 ° Infrarossi, Superficie 2 GW package

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
710-3935
Codice costruttore:
VEMT2000X01
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Spettri rilevati

Infrarossi

Tipo prodotto

Fototransistor

Lunghezza d'onda di picco

860nm

Confezionamento

Nastro e bobina

Numero di canali

1

Corrente illuminazione massima

9mA

Corrente di buio massima

100nA

Angolo mezza sensibilità

30 °

Numero aghi

2

Tipo montaggio

Superficie

Minima temperatura operativa

-40°C

Tipo di package

GW

Temperatura massima di funzionamento

100°C

Standard/Approvazioni

WEEE 2002/96/EC, Halogen Free IEC 61249-2-21, RoHS Directive 2002/95/EC

Larghezza

2.3mm

Altezza

2.77mm

Corrente collettore

50mA

Lunghezza

2.3mm

Diametro

1.8mm

Serie

VEMT2000X01

Tensione collettore emettitore

7V

Standard automobilistico

AEC-Q101

Tensione emettitore collettore

20V

Fototransistor serie VEMT2000 e VEMT2020


Le serie VEMT2000 e VEMT2020 di Vishay Semiconductor sono una famiglia di fototransistor NPN planari epitassiali al silicio. Sono alloggiati in contenitori ultraminiaturizzati per montaggio superficiale (SMD) con una gamma di opzioni di cavo. Le serie VEMT2000 e VEMT2020 sono dotate di un contenitore in plastica nera che offre un filtro per la luce solare, bloccando la luce ambientale visibile.

Le applicazioni adatte per i fototransistor VEMT2000 e VEMT2020 includono: foto interruttori, interruttori miniaturizzati, rilevatori in applicazioni automobilistiche, contatori, decodificatori e sensori di posizione.

Caratteristiche dei fototransistor VEMT2000 e VEMT2020:

Contenitore ultraminiaturizzato

Montaggio superficiale (SMD)

Tipi diversi di cavi: GW e RGW

Elevata sensibilità all'irradiazione

Rapido tempo di riposta

Angolo mezza intensità: 15°

Fototransistor IR, Vishay Semiconductor


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