Fototransistor onsemi 12 ° Infrarossi, Superficie 2 Subminiatura package
- Codice RS:
- 805-0517P
- Codice costruttore:
- QSB363
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 805-0517P
- Codice costruttore:
- QSB363
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Fototransistor | |
| Spettri rilevati | Infrarossi | |
| Tempo di caduta tipico | 15μs | |
| Lunghezza d'onda di picco | 940nm | |
| Tempo di salita tipico | 15μs | |
| Confezionamento | Nastro e bobina | |
| Numero di canali | 1 | |
| Corrente di buio massima | 100nA | |
| Angolo mezza sensibilità | 12 ° | |
| Numero aghi | 2 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Tipo di package | Subminiatura | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 85°C | |
| Larghezza | 2.2mm | |
| Lunghezza | 2.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 3mm | |
| Corrente collettore | 1.5mA | |
| Tensione emettitore collettore | 30V | |
| Tensione collettore emettitore | 5V | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Fototransistor | ||
Spettri rilevati Infrarossi | ||
Tempo di caduta tipico 15μs | ||
Lunghezza d'onda di picco 940nm | ||
Tempo di salita tipico 15μs | ||
Confezionamento Nastro e bobina | ||
Numero di canali 1 | ||
Corrente di buio massima 100nA | ||
Angolo mezza sensibilità 12 ° | ||
Numero aghi 2 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Tipo di package Subminiatura | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 85°C | ||
Larghezza 2.2mm | ||
Lunghezza 2.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 3mm | ||
Corrente collettore 1.5mA | ||
Tensione emettitore collettore 30V | ||
Tensione collettore emettitore 5V | ||
Standard automobilistico No | ||
Fototransistor a infrarossi serie QSB363
La serie QSB363 di Fairchild Semiconductor è composta da fototransistor a infrarossi al silicio. Sono alloggiati in contenitori ultraminiaturizzati per montaggio superficiale (SMD) con una lente convessa T-3/4 (2 mm). I fototransistor a infrarossi QSB363 sono dotati di varie opzioni cavo, tra cui ad ali di gabbiano, morsetto e piegatura a z.
QSB363/QSB363GR/QSB363YR/QSB363ZR
Fototransistor NPN al silicio
Contenitore per montaggio superficiale T-3/4 (2 mm)
Angolo di apertura del fascio mediamente ampio: 24°
Contenitore in plastica nera
Filtro di soppressione della luce del giorno
Opzioni cavo: ad ali di gabbiano, morsetto e piegatura a z
Temperatura d'esercizio: da -40 °C a +85 °C