Fototransistor onsemi QSB363ZR 12 ° Infrarossi, Superficie 2 Subminiatura package

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Unità
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25 - 750,293 €7,33 €
100 - 2250,252 €6,30 €
250 - 4750,219 €5,48 €
500 +0,192 €4,80 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
805-0523
Codice costruttore:
QSB363ZR
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Fototransistor

Spettri rilevati

Infrarossi

Tempo di caduta tipico

15μs

Lunghezza d'onda di picco

940nm

Tempo di salita tipico

15μs

Confezionamento

Nastro e bobina

Numero di canali

1

Corrente di buio massima

100nA

Angolo mezza sensibilità

12 °

Numero aghi

2

Tipo montaggio

Superficie

Minima temperatura operativa

-40°C

Tipo di package

Subminiatura

Temperatura massima di funzionamento

85°C

Larghezza

2.2mm

Lunghezza

2.7mm

Standard/Approvazioni

No

Corrente collettore

1.5mA

Altezza

3mm

Tensione collettore emettitore

5V

Tensione emettitore collettore

30V

Standard automobilistico

No

Fototransistor a infrarossi serie QSB363


La serie QSB363 di Fairchild Semiconductor è composta da fototransistor a infrarossi al silicio. Sono alloggiati in contenitori ultraminiaturizzati per montaggio superficiale (SMD) con una lente convessa T-3/4 (2 mm). I fototransistor a infrarossi QSB363 sono dotati di varie opzioni cavo, tra cui ad ali di gabbiano, morsetto e piegatura a z.

QSB363/QSB363GR/QSB363YR/QSB363ZR

Fototransistor NPN al silicio

Contenitore per montaggio superficiale T-3/4 (2 mm)

Angolo di apertura del fascio mediamente ampio: 24°

Contenitore in plastica nera

Filtro di soppressione della luce del giorno

Opzioni cavo: ad ali di gabbiano, morsetto e piegatura a z

Temperatura d'esercizio: da -40 °C a +85 °C

Fototransistor IR, Fairchild Semiconductor


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