STMicroelectronics Modulo Driver gate L6385ED013TR Lato alto, 650 mA 2, SO-8, 8 Pin 17 V
- Codice RS:
- 152-011
- Codice costruttore:
- L6385ED013TR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
2105,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,842 € | 2.105,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 152-011
- Codice costruttore:
- L6385ED013TR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 650mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tempo di discesa | 30ns | |
| Tipo di driver | Lato alto | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tempo di salita | 50ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 17V | |
| Numero driver | 2 | |
| Tensione massima di alimentazione | 17V | |
| Minima temperatura operativa | -50°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Serie | L6385ED013TR | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 650mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tempo di discesa 30ns | ||
Tipo di driver Lato alto | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tempo di salita 50ns | ||
Tensione minima di alimentazione 17V | ||
Numero driver 2 | ||
Tensione massima di alimentazione 17V | ||
Minima temperatura operativa -50°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Serie L6385ED013TR | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
- Paese di origine:
- CN
Il driver gate ad alta tensione semplice e compatto STMicroelectronics, realizzato con la tecnologia "offline" BCD, è in grado di azionare un mezzo ponte di dispositivi MOSFET di potenza o IGBT. La sezione high-side (flottante) è in grado di funzionare con la guida di tensione fino a 600 V. Entrambe le uscite del dispositivo possono affondare in modo indipendente e generare 650 mA e 400 mA rispettivamente e possono essere simultaneamente azionate in alto per azionare configurazioni a mezzo ponte asimmetriche.
Blocco di sottotensione sulla sezione di azionamento inferiore e superiore
Diodo di bootstrap interno
Uscite in fase con ingressi
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