STMicroelectronics Modulo Driver gate L6388ED013TR Lato alto, 650 mA 2, SO-8, 8 Pin 17 V
- Codice RS:
- 152-016
- Codice costruttore:
- L6388ED013TR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 1,219 € | 3.047,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 152-016
- Codice costruttore:
- L6388ED013TR
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 650mA | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tempo di discesa | 40ns | |
| Tipo di driver | Lato alto | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tempo di salita | 70ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 17V | |
| Tensione massima di alimentazione | 17V | |
| Numero driver | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -45°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | L6388ED013TR | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 650mA | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tempo di discesa 40ns | ||
Tipo di driver Lato alto | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tempo di salita 70ns | ||
Tensione minima di alimentazione 17V | ||
Tensione massima di alimentazione 17V | ||
Numero driver 2 | ||
Minima temperatura operativa -45°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie L6388ED013TR | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
- Paese di origine:
- CN
Il driver gate ad alta tensione STMicroelectronics, realizzato con la tecnologia "offline" BCD, è in grado di azionare un mezzo ponte di dispositivi MOSFET/IGBT di potenza. La sezione high-side (flottante) è abilitata per funzionare con la guida di tensione fino a 600 V. Entrambe le uscite del dispositivo possono assorbire e generare rispettivamente 650 mA e 400 mA e non possono essere simultaneamente azionate in alto grazie a una funzione di blocco integrata. Un'ulteriore prevenzione dalla conduzione incrociata delle uscite è garantita dalla funzione di tempo morto.
Diodo di bootstrap interno
Uscite in fase con ingressi
Tempo morto e funzione di blocco
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