ROHM Transistor di potenza GNP1070TC-ZE2, 20 A 750 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-697
Codice costruttore:
GNP1070TC-ZE2
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

Transistor di potenza

Corrente di uscita

20A

Tempo di discesa

8.7ns

Tempo di salita

6.9ns

Tensione minima di alimentazione

24V

Tensione massima di alimentazione

750V

Minima temperatura operativa

-10°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

GNP1070TC NA

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il FET ROHM in modalità E al nitruro di gallio (GaN) è un HEMT GaN da 650 V che ha raggiunto la classe FOM più alta del settore (Ron Ciss Ron Coss). Si tratta di un prodotto della serie EcoGaN che contribuisce all'efficienza della conversione di potenza e alla riduzione delle dimensioni sfruttando al meglio la bassa resistenza di accensione e la commutazione ad alta velocità. La funzione di protezione ESD è integrata per garantire un design ad alta affidabilità. Inoltre, i pacchetti altamente versatili garantiscono un'eccellente dissipazione del calore e facilitano il montaggio.

fET GaN 650V in modalità E

70mΩ Resistenza

5,2nC Carica di gate

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