ROHM Transistor di potenza GNP1070TC-ZE2, 20 A, DFN-8080K, 8 Pin 750V
- Codice RS:
- 264-697
- Codice costruttore:
- GNP1070TC-ZE2
- Costruttore:
- ROHM
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- Codice RS:
- 264-697
- Codice costruttore:
- GNP1070TC-ZE2
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | Transistor di potenza | |
| Corrente di uscita | 20A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 8.7ns | |
| Tipo di package | DFN-8080K | |
| Tempo di salita | 6.9ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 24V | |
| Tensione massima di alimentazione | 750V | |
| Minima temperatura operativa | -10°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Serie | GNP1070TC NA | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto Transistor di potenza | ||
Corrente di uscita 20A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 8.7ns | ||
Tipo di package DFN-8080K | ||
Tempo di salita 6.9ns | ||
Tensione minima di alimentazione 24V | ||
Tensione massima di alimentazione 750V | ||
Minima temperatura operativa -10°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Serie GNP1070TC NA | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- TW
Il FET ROHM in modalità E al nitruro di gallio (GaN) è un HEMT GaN da 650 V che ha raggiunto la classe FOM più alta del settore (Ron Ciss Ron Coss). Si tratta di un prodotto della serie EcoGaN che contribuisce all'efficienza della conversione di potenza e alla riduzione delle dimensioni sfruttando al meglio la bassa resistenza di accensione e la commutazione ad alta velocità. La funzione di protezione ESD è integrata per garantire un design ad alta affidabilità. Inoltre, i pacchetti altamente versatili garantiscono un'eccellente dissipazione del calore e facilitano il montaggio.
fET GaN 650V in modalità E
70mΩ Resistenza
5,2nC Carica di gate
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