ROHM FET GaN, 11 A 1, 8 Pin 650V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-698P
Codice costruttore:
GNP1150TCA-ZE2
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

FET GaN

Corrente di uscita

11A

Numero pin

8

Tempo di discesa

8.3ns

Tempo di salita

5.3ns

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

650V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

GNP1150TCA-Z NA

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.9mm

Lunghezza

8mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il FET ROHM in modalità E al nitruro di gallio (GaN) è un HEMT GaN da 650 V che ha raggiunto la classe FOM più alta del settore (Ron Ciss Ron Coss). Si tratta di un prodotto della serie EcoGaN che contribuisce all'efficienza della conversione di potenza e alla riduzione delle dimensioni sfruttando al meglio la bassa resistenza di accensione e la commutazione ad alta velocità. La funzione di protezione ESD è integrata per garantire un design ad alta affidabilità. Inoltre, i pacchetti altamente versatili garantiscono un'eccellente dissipazione del calore e facilitano il montaggio.

fET GaN 650V in modalità E

70mΩ Resistenza

5,2nC Carica di gate

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