ROHM FET GaN, 11 A 1, 8 Pin 650 V

Visualizza Gate driver
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 20 unità (fornito in una striscia continua)*

133,10 €

(IVA esclusa)

162,38 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Per ordini inferiori a 60,00 € (IVA esclusa) il costo della spedizione è 9,50 €.
In magazzino
  • 100 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
20 - 1986,655 €
200 +6,14 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
264-698P
Codice costruttore:
GNP1150TCA-ZE2
Costruttore:
ROHM
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

ROHM

Tipo prodotto

FET GaN

Corrente di uscita

11A

Numero pin

8

Tempo di discesa

8.3ns

Numero di uscite

1

Tempo di salita

5.3ns

Tensione massima di alimentazione

650V

Numero driver

1

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

8 mm

Serie

GNP1150TCA-Z NA

Altezza

0.9mm

Lunghezza

8mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TW
Il FET ROHM in modalità E al nitruro di gallio (GaN) è un HEMT GaN da 650 V che ha raggiunto la classe FOM più alta del settore (Ron Ciss Ron Coss). Si tratta di un prodotto della serie EcoGaN che contribuisce all'efficienza della conversione di potenza e alla riduzione delle dimensioni sfruttando al meglio la bassa resistenza di accensione e la commutazione ad alta velocità. La funzione di protezione ESD è integrata per garantire un design ad alta affidabilità. Inoltre, i pacchetti altamente versatili garantiscono un'eccellente dissipazione del calore e facilitano il montaggio.

fET GaN 650V in modalità E

70mΩ Resistenza

5,2nC Carica di gate

Link consigliati