onsemi AEC-Q100 Modulo Driver gate NCV51752CBDR2G Driver gate isolato, 9 A 1, SOIC-8 NB, 8 Pin 30 V
- Codice RS:
- 277-031
- Codice costruttore:
- NCV51752CBDR2G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità | Per Nastro* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,29 € | 11,45 € |
| 50 - 95 | 2,174 € | 10,87 € |
| 100 - 495 | 2,014 € | 10,07 € |
| 500 - 995 | 1,856 € | 9,28 € |
| 1000 + | 1,786 € | 8,93 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 277-031
- Codice costruttore:
- NCV51752CBDR2G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo Driver gate | |
| Corrente di uscita | 9A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 8.3ns | |
| Tipo di package | SOIC-8 NB | |
| Tipo di driver | Driver gate isolato | |
| Numero di uscite | 1 | |
| Tempo di salita | 22ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 6.5V | |
| Numero driver | 1 | |
| Tensione massima di alimentazione | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | NCV51752 | |
| Standard/Approvazioni | UL1577, SGS FIMO IEC 62386-1, CQC GB4943.1-2011 | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Larghezza | 6.2 mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo Driver gate | ||
Corrente di uscita 9A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 8.3ns | ||
Tipo di package SOIC-8 NB | ||
Tipo di driver Driver gate isolato | ||
Numero di uscite 1 | ||
Tempo di salita 22ns | ||
Tensione minima di alimentazione 6.5V | ||
Numero driver 1 | ||
Tensione massima di alimentazione 30V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie NCV51752 | ||
Standard/Approvazioni UL1577, SGS FIMO IEC 62386-1, CQC GB4943.1-2011 | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Larghezza 6.2 mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
- Paese di origine:
- PH
Il gate driver a canale singolo isolato di ON Semiconductor è progettato per la commutazione rapida di MOSFET di potenza e interruttori di potenza MOSFET SiC. Offre ritardi di propagazione brevi e abbinati, elevata immunità ai dV/dt e la possibilità di generare un rail di polarizzazione negativo per uno spegnimento più rapido. Disponibile in un package SOIC-8 compatto da 4 mm, supporta una tensione di isolamento fino a 3,75 kVRMS, garantendo una maggiore affidabilità.
CMTI minimo di 200 V/ns dV/dt
Capacità di gestione di 5 V negativi sui pin di ingresso
Ritardo di propagazione tipico 36 ns con corrispondenza di ritardo massima di 5 ns
Qualificato AEC Q100 per i requisiti delle applicazioni automobilistiche
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