Microchip AEC-Q100 Gate driver MCP14A0304T-E/MNYVAO Tipo doppio, 3 A 2, TDFN, 8 Pin 18 V

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 5 unità*

7,93 €

(IVA esclusa)

9,675 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3300 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Nastro*
5 - 451,586 €7,93 €
50 - 2451,394 €6,97 €
250 - 4951,252 €6,26 €
500 +1,078 €5,39 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
644-280
Codice costruttore:
MCP14A0304T-E/MNYVAO
Costruttore:
Microchip
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Microchip

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

3A

Numero pin

8

Tempo di discesa

12ns

Tipo di package

TDFN

Numero di uscite

2

Tipo di driver

Tipo doppio

Tempo di salita

17ns

Tensione minima di alimentazione

18V

Tensione massima di alimentazione

18V

Numero driver

2

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Serie

MCP14A0303/4/5

Lunghezza

3mm

Altezza

0.85mm

Larghezza

3 mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q100

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

Paese di origine:
TH
I gate driver MOSFET ad alta velocità a doppia uscita di Microchip sono in grado di fornire fino a 3 A di corrente di picco, pur funzionando con una singola alimentazione da 4,5 V a 18 V. Questi gate driver MOSFET sono caratterizzati da bassa corrente di attraversamento, tempi di salita e discesa rapidi e brevi ritardi di propagazione che li rendono ideali per applicazioni ad alta frequenza di commutazione. Una resistenza di pull-up integrata consente all'utente di lasciare il pin di abilitazione flottante per il funzionamento standard. Questi dispositivi sono altamente resistenti al latch up in qualsiasi condizione di potenza e tensione nominale.

Ingresso di soglia a bassa tensione e abilitazione con isteresi

Protezione dal latch up e resistenza a una corrente inversa di 0,5 A

Risparmio di spazio

Bassa corrente di attraversamento/conduzione incrociata nello stadio di uscita

Elevata capacità di gestione del carico capacitivo

Link consigliati