Microchip AEC-Q100 Gate driver MCP14A0902T-E/MNYVAO MOSFET, 9 A 2, TDFN, 8 Pin 18 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
644-283
Codice costruttore:
MCP14A0902T-E/MNYVAO
Costruttore:
Microchip
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Marchio

Microchip

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

9A

Numero pin

8

Tipo di package

TDFN

Tempo di discesa

22ns

Numero di uscite

2

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

27ns

Tensione minima di alimentazione

18V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

18V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Altezza

0.85mm

Serie

MCP14A0901/2

Larghezza

3 mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q100

Lunghezza

3mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

Paese di origine:
TH
I gate driver MOSFET ad alta velocità a doppia uscita di Microchip sono in grado di fornire fino a 9 A di corrente di picco, pur funzionando con una singola alimentazione da 4,5 V a 18 V. Questi driver per gate MOSFET sono caratterizzati da bassa corrente di attraversamento, tempi di salita e discesa rapidi e brevi ritardi di propagazione che li rendono ideali per applicazioni ad alta frequenza di commutazione. Questi gate driver MOSFET offrono un controllo avanzato con funzionalità di abilitazione.

Bassa corrente di attraversamento/conduzione incrociata nello stadio di uscita

Bassa corrente di alimentazione di 360 μA

Ingresso di soglia a bassa tensione e abilitazione con isteresi

Protezione dal latch-up e resistenza a una corrente inversa di 0,5 A

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