Driver gate MOSFET LM5111-1M/NOPB, TTL, 5 A, 14V, SOIC, 8-Pin

Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire uscite di corrente elevata idonee compatibili con i requisiti di funzionamento di dispositivi di potenza IGBT e MOSFET e sono disponibili in una varietà di configurazioni e tipi di contenitore.

Il driver gate doppio Texas Instruments sostituisce i driver gate standard industriali con una maggiore corrente di uscita di Peak e maggiore efficienza. Ogni stadio driver di uscita composto include transistor MOS e bipolari che funzionano in parallelo e che insieme sink più di 5 A di Peak dai carichi capacitivi. Combinando le caratteristiche uniche dei dispositivi MOS e bipolari si riduce la variazione della corrente di azionamento con tensione e temperatura. Viene fornita anche protezione di sicurezza contro sottotensione. I driver possono essere azionati in parallelo con ingressi e uscite collegati per raddoppiare la capacità di corrente di azionamento. Questo dispositivo è disponibile nel contenitore SOIC o termicamente migliorato

Aziona in modo indipendente due MOSFET a canale N.
Le uscite CMOS e bipolari composite riducono la variazione della corrente di uscita
Sink da 5 A e capacità di corrente source da 3 A.
Due canali possono essere collegati in parallelo per raddoppiare la corrente di azionamento
Ingressi indipendenti (compatibilità TTL)
Tempi di propagazione rapida (25 ns tipici)
Tempi di salita e discesa rapidi (rispettivamente 14 ns e 12 ns salita e discesa con carico 2 nF)
Disponibile in configurazioni doppia non invertente, doppia invertente e combinata
UVLO (Under Voltage Lockout Protection) su guida di alimentazione a 1 ƒ
UVLO LM5111-4 configurato per l'azionamento di PFET attraverso OUT_A e NFET attraverso OUT_B.
Pin compatibile con driver gate standard industriali

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, Texas Instruments