Renesas Electronics No MOSFET HIP2101IBZT MOSFET, 2 A 2, SOIC, 8 Pin 14 V

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Packaging Options:
Codice RS:
238-0035
Codice costruttore:
HIP2101IBZT
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

2A

Numero pin

8

Tempo di discesa

10ns

Tipo di package

SOIC

Tipo di driver

MOSFET

Numero di uscite

2

Tempo di salita

500ns

Tensione minima di alimentazione

9V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

14V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.75mm

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Serie

HIP2101

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Il modello HIP2101 di Renesas Electronics è un IC driver MOSFET di potenza a canale N half-bridge ad alta frequenza da 100 V. È equivalente al modello HIP2100 con il vantaggio aggiuntivo di pin di ingresso logico completamente compatibili con TTL/CMOS. A differenza di alcuni concorrenti, l'uscita high-side ritorna al suo stato corretto dopo una sottotensione momentanea dell'alimentazione high-side.

Aziona MOSFET a canale N half-bridge

Opzioni contenitore SOIC, EPSOIC, QFN e DFN

Tensione max di alimentazione bootstrap fino a 114 V c.c.

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