Renesas Electronics No MOSFET MOSFET, 2 A 2, SOIC, 8 Pin 14 V
- Codice RS:
- 196-8875
- Codice costruttore:
- HIP2101IBZ
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Prezzo per 1 tubo da 98 unità*
371,812 €
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453,642 €
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 98 + | 3,794 € | 371,81 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 196-8875
- Codice costruttore:
- HIP2101IBZ
- Costruttore:
- Renesas Electronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Renesas Electronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 2A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tempo di discesa | 500ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Numero di uscite | 2 | |
| Tempo di salita | 500ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 18V | |
| Tensione massima di alimentazione | 14V | |
| Numero driver | 2 | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Serie | HIP2101 | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Renesas Electronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 2A | ||
Numero pin 8 | ||
Tempo di discesa 500ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Numero di uscite 2 | ||
Tempo di salita 500ns | ||
Tensione minima di alimentazione 18V | ||
Tensione massima di alimentazione 14V | ||
Numero driver 2 | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.75mm | ||
Serie HIP2101 | ||
Larghezza 4 mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie HIP2101 di Renesas Electronics comprende circuiti integrati driver MOSFET di potenza a canale N half-bridge 100V ad alta frequenza. È equivalente al
HIP2100 con l'ulteriore vantaggio di pin di ingresso logico completamente compatibili TTL/CMOS. Protezione da sottotensione su entrambi
le alimentazioni low-side e high-side forzano le uscite basse. Un diodo on-chip elimina il diodo discreto necessario con altri IC driver.
Pilota il MOSFET a canale N Half bridge
Involucri opzionali SOIC, EPSOIC, QFN e DFN
Tensione massima di alimentazione bootstrap a 114VDC
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