Renesas Electronics MOSFET HIP2101IBZ MOSFET, 2 A 2, SOIC, 8 Pin 14 V

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Codice RS:
196-8875
Codice costruttore:
HIP2101IBZ
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

2A

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

500ns

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

500ns

Tensione minima di alimentazione

18V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

14V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.75mm

Lunghezza

5mm

Serie

HIP2101

Standard/Approvazioni

No

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

La serie HIP2101 di Renesas Electronics comprende circuiti integrati driver MOSFET di potenza a canale N half-bridge 100V ad alta frequenza. È equivalente al

HIP2100 con l'ulteriore vantaggio di pin di ingresso logico completamente compatibili TTL/CMOS. Protezione da sottotensione su entrambi

le alimentazioni low-side e high-side forzano le uscite basse. Un diodo on-chip elimina il diodo discreto necessario con altri IC driver.

Pilota il MOSFET a canale N Half bridge

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