Renesas Electronics MOSFET HIP2100IBZT MOSFET, 2 A, SOIC-8, 8 Pin 14 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
263-6913
Codice costruttore:
HIP2100IBZT
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

2A

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC-8

Tempo di discesa

10ns

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

20ns

Tensione minima di alimentazione

9V

Tensione massima di alimentazione

14V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

4.98mm

Serie

HIP2100

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

1.7mm

Larghezza

3.99 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
IC driver MOSFET di potenza a canale N a mezzo ponte ad alta frequenza a basso costo Renesas Electronics. I driver gate low-side e high-side sono controllati in modo indipendente e abbinati a 8 ns. Ciò offre all'utente la massima flessibilità nella selezione del tempo morto e nel protocollo del driver. La protezione contro la sottotensione su entrambe le alimentazioni low-side e high-side costringe le uscite a scendere in basso.

Tempi di propagazione rapidi per circuiti multi-MHz

Soglie di ingresso CMOS per una migliore immunità al rumore

Ingressi indipendenti per topologie non half-bridge

Nessun problema di avvio

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