Driver gate MOSFET UC3710T, CMOS, 6 A, 18V, TO-220, 5-Pin

Una gamma di CI stadio pilota dedicati di Texas Instruments adatti sia per le applicazioni IGBT e MOSFET. I dispositivi sono in grado di fornire uscite di corrente elevata idonee compatibili con i requisiti di funzionamento di dispositivi di potenza IGBT e MOSFET e sono disponibili in una varietà di configurazioni e tipi di contenitore.

La famiglia UC1710 Texas Instruments di driver FET è realizzata con un processo Schottky ad alta velocità per interfacciarsi tra funzioni di controllo di basso livello e dispositivi di commutazione a potenza molto elevata, in particolare MOSFET di potenza/x92s. Questi dispositivi accettano ingressi digitali a bassa corrente per attivare un'uscita a polo totem a corrente elevata che può source o sink un minimo di 6A. Le tensioni di alimentazione per VIN e VC possono variare in modo indipendente da 4,7 V a 18V. Questi dispositivi sono inoltre dotati di blocco di sicurezza contro sottotensione con isteresi.

Uscita Totem Pole con attacco source/sink 6A
Ritardo 3NS
20ns tempo di salita e discesa in 2,2 nF
8ns tempo di salita e discesa in 30nF
Funzionamento da 4,7 V a 18V
Uscite invertenti e non invertenti
Blocco di sicurezza contro sottotensione con isteresi
Protezione con spegnimento termico
MINIDIP e pacchetti di alimentazione

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, Texas Instruments