Driver gate MOSFET IR2127STRPBF, 0,25 A, 0,5 A, 20V, SOIC, 8-Pin

Codice RS:: 170-2285
Codice costruttore:: IR2127STRPBF
Costruttore:: Infineon

Driver gate MOSFET IR2127STRPBF, 0,25 A, 0,5 A, 20V, SOIC, 8-Pin

Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 05/11/2024.

Aggiunto

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)

0,997 €

(IVA esclusa)

1,216 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per Bobina*
2500 +	0,997 €	2.492,50 €
*prezzo indicativo

Codice RS:: 170-2285
Codice costruttore:: IR2127STRPBF
Costruttore:: Infineon

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Moduli di potenza MOSFET & IGBT, high side, Infineon

IC di controllo della resistenza di Infineon per controllare i dispositivi di potenza MOSFET o IGBT nelle configurazioni high side.

IC driver high side da 600 V con correnti di 0,25 A source e 0,5 A sink, in contenitore SOIC a 8 conduttori, per IGBT e MOSFET. Disponibile anche nella versione PDIP a 8 conduttori.

Riepilogo delle caratteristiche:
Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap
Completamente operativo fino a +600 V
Tolleranza alla tensione transitoria negativa immune dV/dt
Applicazione - gamma specifica di stadi pilota: da 12 a 20 V (IR2127, IR2128 uscita fuori fase con ingresso (IR2128)

Moduli IGBT e MOSFET, Infineon (International Rectifier)

Specifiche

Attributo	Valore
Corrente di uscita	0,25 A, 0,5 A
Tensione di alimentazione	20V
Numero pin	8
Tipo di package	SOIC
Tempo di discesa	65ns
Numero di uscite	1
Tempo di salita	130ns
Topologia	Lato alto
Numero di driver	1
Ritardo	250ns
Polarità	Non-invertente
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale

Codice RS:: 170-2285
Codice costruttore:: IR2127STRPBF
Costruttore:: Infineon

Driver gate MOSFET IR2127STRPBF, 0,25 A, 0,5 A, 20V, SOIC, 8-Pin

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Moduli di potenza MOSFET & IGBT, high side, Infineon

Specifiche

Moduli di potenza MOSFET & IGBT, high side, Infineon

Link consigliati