Infineon Gate driver MOSFET, 1.9 A 2, SOIC, 8 Pin 20V

Codice RS:: 226-6203
Codice costruttore:: IRS2183STRPBF
Costruttore:: Infineon

Infineon Gate driver MOSFET, 1.9 A 2, SOIC, 8 Pin 20V

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2340,00 €

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Codice RS:: 226-6203
Codice costruttore:: IRS2183STRPBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	Gate driver
	Corrente di uscita	1.9A
	Numero pin	8
	Tempo di discesa	35ns
	Tipo di package	SOIC
	Numero di uscite	2
	Tipo di driver	MOSFET
	Tempo di salita	40ns
	Tensione minima di alimentazione	10V
	Tensione massima di alimentazione	20V
	Numero driver	2
	Minima temperatura operativa	-40°C
	Temperatura massima di funzionamento	125°C
	Altezza	1.75mm
	Serie	IRS2183
	Larghezza	4mm
	Lunghezza	5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Tipo montaggio	Superficie
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto Gate driver
	Corrente di uscita 1.9A
	Numero pin 8
	Tempo di discesa 35ns
	Tipo di package SOIC
	Numero di uscite 2
	Tipo di driver MOSFET
	Tempo di salita 40ns
	Tensione minima di alimentazione 10V
	Tensione massima di alimentazione 20V
	Numero driver 2
	Minima temperatura operativa -40°C
	Temperatura massima di funzionamento 125°C
	Altezza 1.75mm
	Serie IRS2183
	Larghezza 4mm
	Lunghezza 5mm
	Standard/Approvazioni No
	Tipo montaggio Superficie
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRS2183STRPBF

Gate driver Infineon serie IRS2183, tensione di alimentazione minima 10 V, corrente di uscita 1,9 A - IRS2183STRPBF

Questo gate driver è un driver MOSFET a doppio canale progettato per controllare i transistor di commutazione in circuiti di conversione di potenza, funzionando da un'alimentazione a bassa tensione a una guida di alimentazione moderata. È fornito in un pacchetto SOIC compatto a 8 pin per montaggio superficiale ed è destinato ad applicazioni con montaggio su circuito stampato che richiedono un azionamento preciso di due uscite con caratteristiche di commutazione rapida.

Caratteristiche e vantaggi:

• L'intervallo di alimentazione da 10 V a 20 V consente una selezione flessibile della tensione del sistema
• La corrente di uscita di 1,9 A offre una robusta capacità di carica del gate MOSFET
• Il tempo di salita di 40 ns riduce le perdite di transizione all'accensione
• Limiti di dissipazione dell'energia di spegnimento con tempo di caduta di 35 ns
• Funziona da -40 °C a 125 °C per una tolleranza termica estesa
• Due driver con due uscite supportano il pilotaggio di due dispositivi

Applicazioni

• Adatto per l'azionamento di coppie MOSFET complementari nei convertitori CC-CC
• Ideale per l'uso in stadi di commutazione PWM a mezzo ponte
• Utilizzato con circuiti di azionamento gate negli inverter di controllo motore
• Può essere utilizzato per il controllo del gate del raddrizzatore sincrono nelle alimentazioni
• Utilizzato per moduli di alimentazione compatti a montaggio superficiale su schede con spazio limitato

Quali sono le dimensioni del contenitore che influenzano il layout della scheda?

Il dispositivo è offerto in un piccolo corpo SOIC a montaggio superficiale che misura 4 mm di larghezza, 5 mm di lunghezza e 1,75 mm di altezza che facilita il posizionamento denso del circuito stampato.

Quante uscite fornisce il dispositivo e come sono disposte?

Fornisce due uscite azionate da due driver interni, consentendo il controllo indipendente dei MOSFET accoppiati.

Quali condizioni termiche può sopportare il dispositivo durante il funzionamento?

Supporta il funzionamento in un ampio intervallo di temperatura ambiente da -40 °C a un massimo di 125 °C per l'implementazione ad alta temperatura.

È adatto per progetti standard automobilistici?

Non è specificato come conforme alle norme automobilistiche e deve essere valutato di conseguenza per le implementazioni di livello veicolare.