AEC-Q100 Driver gate MOSFET NCV5703BDR2G, 6,8 A, 7,8 A., 5V, SOIC, 8-Pin

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Codice RS:
185-8105
Codice costruttore:
NCV5703BDR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Corrente di uscita

6,8 A, 7,8 A.

Tensione di alimentazione

5V

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

7.9ns

Tipo di driver

MOSFET

Numero di uscite

1

Tempo di salita

9.2ns

Topologia

Driver gate

Numero di driver

1

Ritardo

75ns

Ponte

Half Bridge

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Standard per uso automobilistico

AEC-Q100

Paese di origine:
PH
Uscita a corrente elevata (+4,0/-6.0 A) a tensioni Miller Plateau IGBT
Bassa VOH e VOL
Morsetto Miller attivo (solo NCD5701A)
Protezione DESAT con ritardo programmabile
Perdite di commutazione ridotte e brevi tempi di commutazione
Ottimizzazione completa di IGBT
Evita l'accensione gate delle spurie
Protezione programmabile ottimizzata
Applications
Inverter c.c./c.a.
Caricabatteria
PFC
Azionamento per motori
Avvitatore
Prodotti finali
Inverter solari
Alimentatori Non Intercambiabili (Ups)
Controllo motori
Batteria A Induzione
Saldatrice Inverter

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