Driver gate MOSFET NCP5106BDR2G, 500 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Driver di potenza per circuiti MOSFET e IGBT low side, high side e half-bridge.

Gamma alta tensione: Fino a 600 V.
Immunità DV/dt ± 50 V/nsec
Gamma di alimentazione comando portellone da 10 V a 20 V.
Uscite di comando alta e bassa
Sorgente di uscita / Capacità corrente di sink 250 mA / 500 mA
Compatibile con logica di ingresso a 3,3 V e 5 V.
Rotazione Vcc sui pin di ingresso
Ritardi di propagazione corrispondenti tra entrambi i canali
Uscite in fase con gli ingressi
Ingressi logici indipendenti per ospitare tutte le topologie (versione A)
Protezione a conduzione incrociata con 100 ns di tempo morto fisso interno (versione B )
Blocco Vcc (UVLO) per entrambi i canali
Compatibilità pin-to-pin con gli standard industriali
Applications
Convertitori di potenza Half-Bridge
Tutti i convertitori di trasmissione complementari (Half-Bridge asimmetrico, Active Clamp) (solo versione A).
Convertitori Full-Bridge

Moduli di potenza IGBT e MOSFET, ON Semiconductor