Driver per impieghi generici NCV57200DR2G, 1,9 A, 20V, SOIC-8, 8-Pin

Gate driver ad alta tensione ON Semiconductor con un gate driver low side non isolato e un gate driver high o low side con isolamento galvanico. È in grado di pilotare direttamente due IGBT in una configurazione half-bridge. Un driver high side isolato può essere alimentato con un alimentatore isolato o con la tecnica Bootstrap dall'alimentatore low side. Questo isolamento galvanico per il driver gate high side garantisce una commutazione affidabile in applicazioni ad alta potenza per IGBT che funzionano fino a 800 V, ad alta dv/dt.

Il contenitore è SOIC-8 (senza piombo)
Uscita di corrente di Peak elevata (+1,9 a/-2,3 a)
Bassa caduta di tensione di uscita per una conduzione IGBT potenziata
Uscita sicura in stato basso senza VDD/VB
Canale flottante per il funzionamento Bootstrap fino a +800V
CMTI fino a 50kV/s.
Funzionamento affidabile per un'oscillazione negativa VS a -800V
Gamma di alimentazione VDD e VBS fino a 20V