IXYS No MOSFET IXDI609SIATR MOSFET, 9 A 1, SOIC, 8 Pin 35 V
- RS Stock No.:
- 213-1616
- Mfr. Part No.:
- IXDI609SIATR
- Brand:
- IXYS
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Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,46 € | 12,30 € |
| 50 - 95 | 2,19 € | 10,95 € |
| 100 - 245 | 1,968 € | 9,84 € |
| 250 - 995 | 1,926 € | 9,63 € |
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*price indicative
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- Mfr. Part No.:
- IXDI609SIATR
- Brand:
- IXYS
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 9A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 15ns | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Numero di uscite | 5 | |
| Tempo di salita | 22ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 4.5V | |
| Numero driver | 1 | |
| Tensione massima di alimentazione | 35V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Serie | IXD_609 | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Distrelec Product Id | 304-39-466 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 9A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 15ns | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Numero di uscite 5 | ||
Tempo di salita 22ns | ||
Tensione minima di alimentazione 4.5V | ||
Numero driver 1 | ||
Tensione massima di alimentazione 35V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Serie IXD_609 | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.75mm | ||
Larghezza 4 mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Distrelec Product Id 304-39-466 | ||
Il driver IXYS è un driver gate ad alta velocità, è particolarmente adatto per l'azionamento dei più recenti MOSFET e IGBT. Questo driver gate è configurato come driver invertente. Il driver è disponibile in un SOIC standard a 8 pin.
Tempi di salita e discesa abbinati
Ritardo di propagazione ridotto
Bassa impedenza di uscita